BUZ905DP,197-9979,Magnatec P沟道 Si MOSFET BUZ905DP, 16 A, Vds=160 V, 3引脚 TO-3PBL封装 ,Magnatec
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Magnatec P沟道 Si MOSFET BUZ905DP, 16 A, Vds=160 V, 3引脚 TO-3PBL封装

制造商零件编号：
BUZ905DP
库存编号：
197-9979
Magnatec BUZ905DP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

BUZ905DP产品详细信息

P-Channel MOSFET Transistors, Semelab

BUZ905DP产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  20mm  
  尺寸  20 x 5 x 26mm  
  典型关断延迟时间  110 ns  
  典型接通延迟时间  150 ns  
  封装类型  TO-3PBL  
  高度  26mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  250 W  
  最大连续漏极电流  16 A  
  最大漏源电压  160 V  
  最大栅阈值电压  1.5V  
  最大栅源电压  ±14 V  
  最高工作温度  +150 °C  
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BUZ905DP产品技术参数资料

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