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安装类型	通孔
长度	39.95mm
尺寸	39.95 x 26.67 x 7.87mm
典型关断延迟时间	85 ns
典型接通延迟时间	35 ns
典型输入电容值@Vds	1400 pF @ -25 V
典型栅极电荷@Vgs	60 nC @ 10 V
封装类型	TO-3
高度	7.87mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	26.67mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	125 W
最大连续漏极电流	18 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	200 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• P-CH Power MOSFET