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安装类型	通孔
长度	15.75mm
尺寸	15.75 x 5.15 x 20.15mm
典型关断延迟时间	9.5 ns
典型接通延迟时间	13.5 ns
典型输入电容值@Vds	800 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs	20 nC @ 10 V
封装类型	TO-247
高度	20.15mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.15mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	MDmesh DM2
引脚数目	3
正向二极管电压	1.6V
最大功率耗散	90 W
最大连续漏极电流	12 A
最大漏源电压	600 V
最大漏源电阻值	290 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±25 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

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• STW18N60DM2, N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 12 A MDMesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package