SPP06N80C3,110-7776,Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP06N80C3, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装 ,Infineon
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP06N80C3, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
SPP06N80C3
库存编号：
110-7776
Infineon SPP06N80C3
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SPP06N80C3产品详细信息

Infineon CoolMOS?C3 功率 MOSFET

SPP06N80C3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.36mm  
  尺寸  10.36 x 4.57 x 15.95mm  
  典型关断延迟时间  72 ns  
  典型接通延迟时间  25 ns  
  典型输入电容值@Vds  785 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  31 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  15.95mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.57mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  CoolMOS C3  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.2V  
  最大功率耗散  83 W  
  最大连续漏极电流  6 A  
  最大漏源电压  800 V  
  最大漏源电阻值  900 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.9V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2.1V  
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安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.36mm  Infineon 长度 10.36mm  MOSFET 晶体管 长度 10.36mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.36mm   尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm  Infineon 尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm   典型关断延迟时间 72 ns  Infineon 典型关断延迟时间 72 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 72 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 72 ns   典型接通延迟时间 25 ns  Infineon 典型接通延迟时间 25 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 25 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 25 ns   典型输入电容值@Vds 785 pF @ 100 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 785 pF @ 100 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 785 pF @ 100 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 785 pF @ 100 V   典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V   封装类型 TO-220  Infineon 封装类型 TO-220  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220   高度 15.95mm  Infineon 高度 15.95mm  MOSFET 晶体管 高度 15.95mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 15.95mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.57mm  Infineon 宽度 4.57mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.57mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4.57mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 CoolMOS C3  Infineon 系列 CoolMOS C3  MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS C3  Infineon MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS C3   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 1.2V  Infineon 正向二极管电压 1.2V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V  Infineon MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V   最大功率耗散 83 W  Infineon 最大功率耗散 83 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 83 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 83 W   最大连续漏极电流 6 A  Infineon 最大连续漏极电流 6 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 6 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 6 A   最大漏源电压 800 V  Infineon 最大漏源电压 800 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 800 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 800 V   最大漏源电阻值 900 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 900 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 900 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 900 mΩ   最大栅阈值电压 3.9V  Infineon 最大栅阈值电压 3.9V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.9V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.9V   最大栅源电压 ±30 V  Infineon 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2.1V  Infineon 最小栅阈值电压 2.1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.1V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.1V  
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MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB

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MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

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MOSFET, N-CH, 800V, 6A, TO-220-3

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SPP06N80C3XKSA1
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Single N-Channel 800 V 900 mOhm 31 nC CoolMOS? Power Mosfet - TO-220-3

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 800V, 6A, 83W, TO220-3, CoolMOS?

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MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB

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Infineon Technologies - SPP06N80C3 - MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3

型号：SPP06N80C3
仓库库存编号：SPP06N80C3IN-ND
别名：SP000013366 <br>SP0000683154 <br>SP000683154 <br>SPP06N80C3IN <br>SPP06N80C3X <br>SPP06N80C3XK <br>SPP06N80C3XKSA1 <br>SPP06N80C3XTIN <br>SPP06N80C3XTIN-ND <br>

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SPP06N80C3|Infineon TechnologiesSPP06N80C3
Infineon Technologies		MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB
Rohs

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无图SPP06N80C3XK
Infineon Technologies		原厂原装货
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SPP06N80C3XKSA1
INFINEON SPP06N80C3XKSA1		2480714

INFINEON

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3 V

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Infineon - SPP06N80C3 - Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP06N80C3, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号：
SPP06N80C3
品牌：
Infineon
库存编号：
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SPP06N80C3产品技术参数资料

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