PD57060-E,110-6593,STMicroelectronics Si N沟道 MOSFET PD57060-E, 7 A, Vds=65 V, 2引脚 PowerSO-10RF封装 ,STMicroelectronics
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

STMicroelectronics Si N沟道 MOSFET PD57060-E, 7 A, Vds=65 V, 2引脚 PowerSO-10RF封装

制造商零件编号：
PD57060-E
库存编号：
110-6593
STMicroelectronics PD57060-E
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
PD57060-E
库存编号:497-5309-5-ND		 STMicroelectronics RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO100
1起订		1+
10+
50+
100+
￥781.31
￥645.68
￥591.39
￥574.59
6-10天询价 询价
查看资料
  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
PD57060-E
库存编号:511-PD57060-E		 STMicroelectronics RF MOSFET Transistors RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam535
1起订		1+
10+
25+
100+
￥644.8
￥624.95
￥585
￥556.4
6-10天购买 购买
,"cvcgetWeb":["c3JjPTMmUE49NTExLVBENTcwNjAtRQ=="],"cvcModel":["PD57060-E"],"cvcBrand":[" STMicroelectronics "],"cvcNumberAll":["1,10,25,100,"],"cvcPriceAll":["644.8,624.95,585,556.4,"],"maxnum":["535"],"minnum":["1"],"mytime":["6-10天"],"haveiscanbuy":["yes"],
PD57060TR-E
库存编号:511-PD57060TR-E		 STMicroelectronics RF MOSFET Transistors RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam0
600起订		600+
￥506.18
6-10天询价 询价
  美国3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
PD57060-E
库存编号:07AH6877		 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 65V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube - Bulk (Alt: 07AH6877)0
1起订		1+
5+
10+
25+
50+
￥687.43
￥676.76
￥665.96
￥655.16
￥649.25
1-2周询价 询价
PD57060-E
库存编号:PD57060-E		 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 65V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube - Bag (Alt: PD57060-E)0
400起订		400+
800+
1600+
2400+
3200+
￥546.02
￥537.62
￥529.22
￥520.82
￥514.52
1-2周询价 询价
  新加坡3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
PD57060-E
库存编号:3129596		 STMicroelectronics , N, 65V, 7A, POWERSO-10RF39
1起订		1+
5+
10+
50+
￥663.41
￥652.66
￥642.03
￥628.71
1-2周购买 购买
,"cvcgetWeb":["c3JjPTQmUE49MzEyOTU5Ng=="],"cvcModel":["PD57060-E"],"cvcBrand":[" STMicroelectronics "],"cvcNumberAll":["1,5,10,50,"],"cvcPriceAll":["663.41,652.66,642.03,628.71,"],"maxnum":["39"],"minnum":["1"],"mytime":["1-2周"],"haveiscanbuy":["yes"],

查看资料
  英国7号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
PD57060-E
库存编号:PD57060-E		 STMicroelectronics Transistor: N-MOSFET, unipolar, RF, 65V, 7A, 79W, PowerSO10RF, SMT0
1起订		1+
3+
10+
50+
￥831.46
￥734.7
￥659.94
￥615.92
1-3周询价 询价

PD57060-E产品详细信息

射频 MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。

PD57060-E产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  9.5mm  
  尺寸  9.5 x 7.6 x 3.6mm  
  典型功率增益  14.3 dB  
  典型输入电容值@Vds  83 pF @ 28 V  
  封装类型  PowerSO-10RF  
  高度  3.6mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  7.6mm  
  类别  功率 MOSFET、射频 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  2  
  最大功率耗散  79 W  
  最大连续漏极电流  7 A  
  最大漏源电压  65 V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最高工作温度  +165 °C  
关键词         

PD57060-E相关搜索

安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 9.5mm  STMicroelectronics 长度 9.5mm  MOSFET 晶体管 长度 9.5mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 9.5mm   尺寸 9.5 x 7.6 x 3.6mm  STMicroelectronics 尺寸 9.5 x 7.6 x 3.6mm  MOSFET 晶体管 尺寸 9.5 x 7.6 x 3.6mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 9.5 x 7.6 x 3.6mm   典型功率增益 14.3 dB  STMicroelectronics 典型功率增益 14.3 dB  MOSFET 晶体管 典型功率增益 14.3 dB  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型功率增益 14.3 dB   典型输入电容值@Vds 83 pF @ 28 V  STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 83 pF @ 28 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 83 pF @ 28 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 83 pF @ 28 V   封装类型 PowerSO-10RF  STMicroelectronics 封装类型 PowerSO-10RF  MOSFET 晶体管 封装类型 PowerSO-10RF  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 PowerSO-10RF   高度 3.6mm  STMicroelectronics 高度 3.6mm  MOSFET 晶体管 高度 3.6mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 3.6mm   晶体管材料 Si  STMicroelectronics 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 7.6mm  STMicroelectronics 宽度 7.6mm  MOSFET 晶体管 宽度 7.6mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 7.6mm   类别 功率 MOSFET、射频 MOSFET  STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET、射频 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET、射频 MOSFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET、射频 MOSFET   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  STMicroelectronics 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 2  STMicroelectronics 引脚数目 2  MOSFET 晶体管 引脚数目 2  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 2   最大功率耗散 79 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 79 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 79 W  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 79 W   最大连续漏极电流 7 A  STMicroelectronics 最大连续漏极电流 7 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 7 A  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 7 A   最大漏源电压 65 V  STMicroelectronics 最大漏源电压 65 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 65 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 65 V   最大栅源电压 ±20 V  STMicroelectronics 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最高工作温度 +165 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +165 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +165 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最高工作温度 +165 °C  
参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
PD57060-E
[更多]		 STMicroelectronics

FET RF 65V 945MHZ PWRSO10

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
PD57060-E
[更多]		 STMicroelectronics

RF MOSFET Transistors RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

RoHS: Compliant

搜索
PD57060TR-E
[更多]		 STMicroelectronics

RF MOSFET Transistors RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

RoHS: Compliant

搜索
  美国3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
PD57060-E
[更多]		 STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 65V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube (Alt: PD57060-E)

RoHS: Compliant

搜索
PD57060-E
[更多]		 STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 65V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube - Bag (Alt: PD57060-E)

RoHS: Compliant

搜索
  日本3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
PD57060-E
[更多]		 STMicroelectronics

Trans RF MOSFET N-CH 65V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube

RoHS: Compliant

搜索
  英国7号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
PD57060-E
[更多]		 STMicroelectronics

Transistor: N-MOSFET, unipolar, RF, 65V, 7A, 79W, SO10RF, SMT, 14.3dB

搜索
  美国1号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

STMicroelectronics - PD57060-E - FET RF 65V 945MHZ PWRSO10		STMicroelectronics
FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 100mA 945MHz 14.3dB 60W 10-PowerSO

型号：PD57060-E
仓库库存编号：497-5309-5-ND
别名：497-5309-5 <br>PD57060E <br>

无铅		搜索
  英国10仓库    查看更多相关产品
产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

STMicroelectronics - PD57060-E - STMicroelectronics Si N沟道 MOSFET PD57060-E, 7 A, Vds=65 V, 2引脚 PowerSO-10RF封装
制造商零件编号：
PD57060-E
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
110-6593
搜索
  www.szcwdz.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
PD57060-E|STMicroelectronicsPD57060-E
STMicroelectronics		TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10
Rohs

PDF下载 		查价格库存
查看详细
  www.szcwdz.com    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
PD57060-E|STMicroelectronicsPD57060-E
STMicroelectronics		TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10
Rohs

PDF下载 		查价格库存
查看详细
  www.szcwdz.com.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
PD57060-E|STMicroelectronicsPD57060-E
STMicroelectronics		TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10
Rohs

PDF下载 		查价格库存
查看详细
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
深圳市市场监督管理局企业主体身份公示