PSMN4R4-80PS,103-8125,NXP Si N沟道 MOSFET PSMN4R4-80PS, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Nexperia
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PSMN4R4-80PS
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN4R4-80PS, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号:
PSMN4R4-80PS
制造商:
Nexperia
Nexperia
库存编号:
103-8125
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PSMN4R4-80PS产品详细信息
N 通道 MOSFET,超过 100A,Nexperia
PSMN4R4-80PS产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.3mm
尺寸
10.3 x 4.7 x 16mm
典型关断延迟时间
66 ns
典型接通延迟时间
34.7 ns
典型输入电容值@Vds
8400 pF @ 40 V
典型栅极电荷@Vgs
125 nC @ 10 V
封装类型
TO-220AB
高度
16mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.7mm
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
306 W
最大连续漏极电流
100 A
最大漏源电压
80 V
最大漏源电阻值
4.1 mΩ
最大栅阈值电压
4V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
最小栅阈值电压
2V
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PSMN4R4-80PS相关搜索
安装类型 通孔
Nexperia 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Nexperia MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 10.3mm
Nexperia 长度 10.3mm
MOSFET 晶体管 长度 10.3mm
Nexperia MOSFET 晶体管 长度 10.3mm
尺寸 10.3 x 4.7 x 16mm
Nexperia 尺寸 10.3 x 4.7 x 16mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.3 x 4.7 x 16mm
Nexperia MOSFET 晶体管 尺寸 10.3 x 4.7 x 16mm
典型关断延迟时间 66 ns
Nexperia 典型关断延迟时间 66 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 66 ns
Nexperia MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 66 ns
典型接通延迟时间 34.7 ns
Nexperia 典型接通延迟时间 34.7 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 34.7 ns
Nexperia MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 34.7 ns
典型输入电容值@Vds 8400 pF @ 40 V
Nexperia 典型输入电容值@Vds 8400 pF @ 40 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 8400 pF @ 40 V
Nexperia MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 8400 pF @ 40 V
典型栅极电荷@Vgs 125 nC @ 10 V
Nexperia 典型栅极电荷@Vgs 125 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 125 nC @ 10 V
Nexperia MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 125 nC @ 10 V
封装类型 TO-220AB
Nexperia 封装类型 TO-220AB
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB
Nexperia MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB
高度 16mm
Nexperia 高度 16mm
MOSFET 晶体管 高度 16mm
Nexperia MOSFET 晶体管 高度 16mm
晶体管材料 Si
Nexperia 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Nexperia 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.7mm
Nexperia 宽度 4.7mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.7mm
Nexperia MOSFET 晶体管 宽度 4.7mm
每片芯片元件数目 1
Nexperia 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Nexperia MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Nexperia 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Nexperia MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Nexperia 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Nexperia MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
Nexperia 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Nexperia MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 306 W
Nexperia 最大功率耗散 306 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 306 W
Nexperia MOSFET 晶体管 最大功率耗散 306 W
最大连续漏极电流 100 A
Nexperia 最大连续漏极电流 100 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 A
Nexperia MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 A
最大漏源电压 80 V
Nexperia 最大漏源电压 80 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 80 V
Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电压 80 V
最大漏源电阻值 4.1 mΩ
Nexperia 最大漏源电阻值 4.1 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 4.1 mΩ
Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 4.1 mΩ
最大栅阈值电压 4V
Nexperia 最大栅阈值电压 4V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V
Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V
最大栅源电压 ±20 V
Nexperia 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
Nexperia 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +175 °C
Nexperia 最高工作温度 +175 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
Nexperia MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
最小栅阈值电压 2V
Nexperia 最小栅阈值电压 2V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
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PSMN4R4-80PS产品技术参数资料
Datasheet
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