PSMN1R2-30YLC,103-8122,NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R2-30YLC, 100 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装 ,Nexperia
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PSMN1R2-30YLC
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R2-30YLC, 100 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装
制造商零件编号:
PSMN1R2-30YLC
制造商:
Nexperia
Nexperia
库存编号:
103-8122
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PSMN1R2-30YLC产品详细信息
N 通道 MOSFET,超过 100A,Nexperia
PSMN1R2-30YLC产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
5mm
尺寸
5 x 4.1 x 1.1mm
典型关断延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
36 ns
典型输入电容值@Vds
5093 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs
78 nC @ 10 V
封装类型
SOT-669
高度
1.1mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.1mm
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
4
最大功率耗散
215 W
最大连续漏极电流
100 A
最大漏源电压
30 V
最大漏源电阻值
1.65 mΩ
最大栅阈值电压
1.95V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
最小栅阈值电压
1.05V
关键词
PSMN1R2-30YLC相关搜索
安装类型 表面贴装
Nexperia 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Nexperia MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 5mm
Nexperia 长度 5mm
MOSFET 晶体管 长度 5mm
Nexperia MOSFET 晶体管 长度 5mm
尺寸 5 x 4.1 x 1.1mm
Nexperia 尺寸 5 x 4.1 x 1.1mm
MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4.1 x 1.1mm
Nexperia MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4.1 x 1.1mm
典型关断延迟时间 75 ns
Nexperia 典型关断延迟时间 75 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 75 ns
Nexperia MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 36 ns
Nexperia 典型接通延迟时间 36 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 36 ns
Nexperia MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 36 ns
典型输入电容值@Vds 5093 pF @ 15 V
Nexperia 典型输入电容值@Vds 5093 pF @ 15 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 5093 pF @ 15 V
Nexperia MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 5093 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V
Nexperia 典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V
Nexperia MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V
封装类型 SOT-669
Nexperia 封装类型 SOT-669
MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-669
Nexperia MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-669
高度 1.1mm
Nexperia 高度 1.1mm
MOSFET 晶体管 高度 1.1mm
Nexperia MOSFET 晶体管 高度 1.1mm
晶体管材料 Si
Nexperia 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Nexperia 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.1mm
Nexperia 宽度 4.1mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.1mm
Nexperia MOSFET 晶体管 宽度 4.1mm
每片芯片元件数目 1
Nexperia 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Nexperia MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Nexperia 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Nexperia MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Nexperia 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Nexperia MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 4
Nexperia 引脚数目 4
MOSFET 晶体管 引脚数目 4
Nexperia MOSFET 晶体管 引脚数目 4
最大功率耗散 215 W
Nexperia 最大功率耗散 215 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 215 W
Nexperia MOSFET 晶体管 最大功率耗散 215 W
最大连续漏极电流 100 A
Nexperia 最大连续漏极电流 100 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 A
Nexperia MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 A
最大漏源电压 30 V
Nexperia 最大漏源电压 30 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
最大漏源电阻值 1.65 mΩ
Nexperia 最大漏源电阻值 1.65 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.65 mΩ
Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.65 mΩ
最大栅阈值电压 1.95V
Nexperia 最大栅阈值电压 1.95V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.95V
Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.95V
最大栅源电压 ±20 V
Nexperia 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
Nexperia 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Nexperia MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +175 °C
Nexperia 最高工作温度 +175 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
Nexperia MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
最小栅阈值电压 1.05V
Nexperia 最小栅阈值电压 1.05V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.05V
Nexperia MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.05V
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PSMN1R2-30YLC产品技术参数资料
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