BSS123,103-8117,NXP Si N沟道 MOSFET BSS123, 150 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装 ,Nexperia
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BSS123
NXP Si N沟道 MOSFET BSS123, 150 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号:
BSS123
制造商:
Nexperia
Nexperia
库存编号:
103-8117
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BSS123产品详细信息
N 通道 MOSFET,高达 0.9A,Nexperia
BSS123产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3mm
尺寸
3 x 1.4 x 1mm
典型关断延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
3 ns
典型输入电容值@Vds
23 pF @ 25 V
封装类型
SOT-23
高度
1mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
1.4mm
类别
逻辑电平 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
250 mW
最大连续漏极电流
150 mA
最大漏源电压
100 V
最大漏源电阻值
6 Ω
最大栅阈值电压
2.8V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
1V
关键词
BSS123相关搜索
安装类型 表面贴装
Nexperia 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Nexperia MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 3mm
Nexperia 长度 3mm
MOSFET 晶体管 长度 3mm
Nexperia MOSFET 晶体管 长度 3mm
尺寸 3 x 1.4 x 1mm
Nexperia 尺寸 3 x 1.4 x 1mm
MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.4 x 1mm
Nexperia MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.4 x 1mm
典型关断延迟时间 12 ns
Nexperia 典型关断延迟时间 12 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 12 ns
Nexperia MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 3 ns
Nexperia 典型接通延迟时间 3 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3 ns
Nexperia MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3 ns
典型输入电容值@Vds 23 pF @ 25 V
Nexperia 典型输入电容值@Vds 23 pF @ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 23 pF @ 25 V
Nexperia MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 23 pF @ 25 V
封装类型 SOT-23
Nexperia 封装类型 SOT-23
MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23
Nexperia MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23
高度 1mm
Nexperia 高度 1mm
MOSFET 晶体管 高度 1mm
Nexperia MOSFET 晶体管 高度 1mm
晶体管材料 Si
Nexperia 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Nexperia 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.4mm
Nexperia 宽度 1.4mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm
Nexperia MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm
类别 逻辑电平 MOSFET
Nexperia 类别 逻辑电平 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 逻辑电平 MOSFET
Nexperia MOSFET 晶体管 类别 逻辑电平 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Nexperia 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Nexperia MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Nexperia 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Nexperia MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Nexperia 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Nexperia MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
Nexperia 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Nexperia MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 250 mW
Nexperia 最大功率耗散 250 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 250 mW
Nexperia MOSFET 晶体管 最大功率耗散 250 mW
最大连续漏极电流 150 mA
Nexperia 最大连续漏极电流 150 mA
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 150 mA
Nexperia MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 150 mA
最大漏源电压 100 V
Nexperia 最大漏源电压 100 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V
Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V
最大漏源电阻值 6 Ω
Nexperia 最大漏源电阻值 6 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 6 Ω
Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 6 Ω
最大栅阈值电压 2.8V
Nexperia 最大栅阈值电压 2.8V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.8V
Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.8V
最大栅源电压 ±20 V
Nexperia 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
Nexperia 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Nexperia MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
Nexperia 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
Nexperia MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小栅阈值电压 1V
Nexperia 最小栅阈值电压 1V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V
Nexperia MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V
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