STP310N10F7,103-2008,STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STP310N10F7, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装 ,STMicroelectronics
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
>
STP310N10F7
STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STP310N10F7, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号:
STP310N10F7
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
103-2008
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STP310N10F7产品详细信息
N 通道 STripFET? H7 系列,STMicroelectronics
STripFET? MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
STP310N10F7产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.4mm
尺寸
10.4 x 4.6 x 15.75mm
典型关断延迟时间
148 ns
典型接通延迟时间
62 ns
典型输入电容值@Vds
12800 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
180 nC @ 10 V
封装类型
TO-220
高度
15.75mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.6mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
STripFET H7
引脚数目
3
最大功率耗散
315 W
最大连续漏极电流
180 A
最大漏源电压
100 V
最大漏源电阻值
2.7 mΩ
最大栅阈值电压
4.5V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
最小栅阈值电压
2.5V
关键词
STP310N10F7相关搜索
安装类型 通孔
STMicroelectronics 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 10.4mm
STMicroelectronics 长度 10.4mm
MOSFET 晶体管 长度 10.4mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 10.4mm
尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm
STMicroelectronics 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm
典型关断延迟时间 148 ns
STMicroelectronics 典型关断延迟时间 148 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 148 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 148 ns
典型接通延迟时间 62 ns
STMicroelectronics 典型接通延迟时间 62 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 62 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 62 ns
典型输入电容值@Vds 12800 pF @ 25 V
STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 12800 pF @ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 12800 pF @ 25 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 12800 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V
STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V
封装类型 TO-220
STMicroelectronics 封装类型 TO-220
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220
高度 15.75mm
STMicroelectronics 高度 15.75mm
MOSFET 晶体管 高度 15.75mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 15.75mm
晶体管材料 Si
STMicroelectronics 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
STMicroelectronics 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.6mm
STMicroelectronics 宽度 4.6mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm
类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
STMicroelectronics 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
STMicroelectronics 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 STripFET H7
STMicroelectronics 系列 STripFET H7
MOSFET 晶体管 系列 STripFET H7
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 STripFET H7
引脚数目 3
STMicroelectronics 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 315 W
STMicroelectronics 最大功率耗散 315 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 315 W
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 315 W
最大连续漏极电流 180 A
STMicroelectronics 最大连续漏极电流 180 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 180 A
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 180 A
最大漏源电压 100 V
STMicroelectronics 最大漏源电压 100 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V
最大漏源电阻值 2.7 mΩ
STMicroelectronics 最大漏源电阻值 2.7 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.7 mΩ
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.7 mΩ
最大栅阈值电压 4.5V
STMicroelectronics 最大栅阈值电压 4.5V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4.5V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4.5V
最大栅源电压 ±20 V
STMicroelectronics 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
STMicroelectronics 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +175 °C
STMicroelectronics 最高工作温度 +175 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
最小栅阈值电压 2.5V
STMicroelectronics 最小栅阈值电压 2.5V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.5V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.5V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
STP310N10F7产品技术参数资料
Datasheet
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号