RFP70N06,841-312,Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFP70N06, 70 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFP70N06, 70 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号:
RFP70N06
库存编号:
841-312
Fairchild Semiconductor RFP70N06
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

RFP70N06产品详细信息

增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor

增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。

RFP70N06产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 4.83 x 9.4mm  
  典型关断延迟时间  32 ns  
  典型接通延迟时间  10 ns  
  典型输入电容值@Vds  2250 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  120 nC @ 20 V  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  9.4mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.83mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  150 W  
  最大连续漏极电流  70 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  14 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

RFP70N06产品技术参数资料

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