RFP70N06,841-312,Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFP70N06, 70 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Fairchild Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFP70N06, 70 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
RFP70N06
库存编号：
841-312
Fairchild Semiconductor RFP70N06
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

RFP70N06产品详细信息

增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor

增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。

RFP70N06产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 4.83 x 9.4mm  
  典型关断延迟时间  32 ns  
  典型接通延迟时间  10 ns  
  典型输入电容值@Vds  2250 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  120 nC @ 20 V  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  9.4mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.83mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  150 W  
  最大连续漏极电流  70 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  14 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
关键词         

RFP70N06配套附件

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

RFP70N06关联产品

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

RFP70N06相关搜索

安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor 长度 10.67mm  MOSFET 晶体管 长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 4.83 x 9.4mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 10.67 x 4.83 x 9.4mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.83 x 9.4mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.83 x 9.4mm   典型关断延迟时间 32 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 32 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 32 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 32 ns   典型接通延迟时间 10 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 10 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns   典型输入电容值@Vds 2250 pF@ 25 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 2250 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2250 pF@ 25 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2250 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 20 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 20 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 20 V   封装类型 TO-220AB  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-220AB  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB   高度 9.4mm  Fairchild Semiconductor 高度 9.4mm  MOSFET 晶体管 高度 9.4mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 9.4mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.83mm  Fairchild Semiconductor 宽度 4.83mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 150 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 150 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 150 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 150 W   最大连续漏极电流 70 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 70 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 70 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 70 A   最大漏源电压 60 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 14 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 14 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 14 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 14 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

RFP70N06产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号