VN10LP,841-277,DiodesZetex Si N沟道 MOSFET VN10LP, 270 mA, Vds=60 V, 3引脚 E-Line封装 ,DiodesZetex
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VN10LP
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET VN10LP, 270 mA, Vds=60 V, 3引脚 E-Line封装
制造商零件编号:
VN10LP
制造商:
DiodesZetex
DiodesZetex
库存编号:
841-277
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
VN10LP产品详细信息
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc
VN10LP产品技术参数
安装类型
通孔
长度
4.77mm
尺寸
4.77 x 2.41 x 4.01mm
典型输入电容值@Vds
60 pF@ 25 V
封装类型
E-Line
高度
4.01mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
2.41mm
类别
小信号
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
625 mW
最大连续漏极电流
270 mA
最大漏源电压
60 V
最大漏源电阻值
5 Ω
最大栅阈值电压
2.5V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
VN10LP相关搜索
安装类型 通孔
DiodesZetex 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 4.77mm
DiodesZetex 长度 4.77mm
MOSFET 晶体管 长度 4.77mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 4.77mm
尺寸 4.77 x 2.41 x 4.01mm
DiodesZetex 尺寸 4.77 x 2.41 x 4.01mm
MOSFET 晶体管 尺寸 4.77 x 2.41 x 4.01mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 4.77 x 2.41 x 4.01mm
典型输入电容值@Vds 60 pF@ 25 V
DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 60 pF@ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 60 pF@ 25 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 60 pF@ 25 V
封装类型 E-Line
DiodesZetex 封装类型 E-Line
MOSFET 晶体管 封装类型 E-Line
DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 E-Line
高度 4.01mm
DiodesZetex 高度 4.01mm
MOSFET 晶体管 高度 4.01mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 4.01mm
晶体管材料 Si
DiodesZetex 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
DiodesZetex 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 2.41mm
DiodesZetex 宽度 2.41mm
MOSFET 晶体管 宽度 2.41mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 2.41mm
类别 小信号
DiodesZetex 类别 小信号
MOSFET 晶体管 类别 小信号
DiodesZetex MOSFET 晶体管 类别 小信号
每片芯片元件数目 1
DiodesZetex 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
DiodesZetex 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
DiodesZetex 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
DiodesZetex 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 625 mW
DiodesZetex 最大功率耗散 625 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 625 mW
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 625 mW
最大连续漏极电流 270 mA
DiodesZetex 最大连续漏极电流 270 mA
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 270 mA
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 270 mA
最大漏源电压 60 V
DiodesZetex 最大漏源电压 60 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
最大漏源电阻值 5 Ω
DiodesZetex 最大漏源电阻值 5 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 5 Ω
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 5 Ω
最大栅阈值电压 2.5V
DiodesZetex 最大栅阈值电压 2.5V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V
最大栅源电压 ±20 V
DiodesZetex 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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VN10LP产品技术参数资料
Datasheet
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