关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	通孔
长度	10mm
尺寸	10 x 4.4 x 9.25mm
典型关断延迟时间	55 ns
典型接通延迟时间	10 ns
典型输入电容值@Vds	400 pF @ 25 V
封装类型	TO-220AB
高度	9.25mm
宽度	4.4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	75 W
最大连续漏极电流	9.5 A
最大漏源电压	200 V
最大漏源电阻值	400 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10mm  Infineon 长度 10mm  MOSFET 晶体管 长度 10mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10mm   尺寸 10 x 4.4 x 9.25mm  Infineon 尺寸 10 x 4.4 x 9.25mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10 x 4.4 x 9.25mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10 x 4.4 x 9.25mm   典型关断延迟时间 55 ns  Infineon 典型关断延迟时间 55 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 55 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 55 ns   典型接通延迟时间 10 ns  Infineon 典型接通延迟时间 10 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns   典型输入电容值@Vds 400 pF @ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 400 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 400 pF @ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 400 pF @ 25 V   封装类型 TO-220AB  Infineon 封装类型 TO-220AB  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB   高度 9.25mm  Infineon 高度 9.25mm  MOSFET 晶体管 高度 9.25mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 9.25mm   宽度 4.4mm  Infineon 宽度 4.4mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.4mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4.4mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 75 W  Infineon 最大功率耗散 75 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 75 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 75 W   最大连续漏极电流 9.5 A  Infineon 最大连续漏极电流 9.5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 9.5 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 9.5 A   最大漏源电压 200 V  Infineon 最大漏源电压 200 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V   最大漏源电阻值 400 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 400 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 400 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 400 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• BUZ32 Series SIPMOS Power Transister Data Sheet
• MOSFET CANAL N