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安装类型	通孔
长度	4.77mm
尺寸	4.77 x 2.41 x 4.01mm
典型关断延迟时间	20 ns
典型接通延迟时间	8 ns
典型输入电容值@Vds	85 pF@ 25 V
封装类型	E-Line
高度	4.01mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	2.41mm
类别	小信号
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	700 mW
最大连续漏极电流	180 mA
最大漏源电压	200 V
最大漏源电阻值	Ω10
最大栅阈值电压	1.5V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 通孔  DiodesZetex 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 4.77mm  DiodesZetex 长度 4.77mm  MOSFET 晶体管 长度 4.77mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 4.77mm   尺寸 4.77 x 2.41 x 4.01mm  DiodesZetex 尺寸 4.77 x 2.41 x 4.01mm  MOSFET 晶体管 尺寸 4.77 x 2.41 x 4.01mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 4.77 x 2.41 x 4.01mm   典型关断延迟时间 20 ns  DiodesZetex 典型关断延迟时间 20 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns   典型接通延迟时间 8 ns  DiodesZetex 典型接通延迟时间 8 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8 ns   典型输入电容值@Vds 85 pF@ 25 V  DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 85 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 85 pF@ 25 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 85 pF@ 25 V   封装类型 E-Line  DiodesZetex 封装类型 E-Line  MOSFET 晶体管 封装类型 E-Line  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 E-Line   高度 4.01mm  DiodesZetex 高度 4.01mm  MOSFET 晶体管 高度 4.01mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 4.01mm   晶体管材料 Si  DiodesZetex 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  DiodesZetex 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 2.41mm  DiodesZetex 宽度 2.41mm  MOSFET 晶体管 宽度 2.41mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 2.41mm   类别 小信号  DiodesZetex 类别 小信号  MOSFET 晶体管 类别 小信号  DiodesZetex MOSFET 晶体管 类别 小信号   每片芯片元件数目 1  DiodesZetex 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  DiodesZetex 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  DiodesZetex 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 700 mW  DiodesZetex 最大功率耗散 700 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 700 mW  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 700 mW   最大连续漏极电流 180 mA  DiodesZetex 最大连续漏极电流 180 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 180 mA  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 180 mA   最大漏源电压 200 V  DiodesZetex 最大漏源电压 200 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V   最大漏源电阻值 Ω10  DiodesZetex 最大漏源电阻值 Ω10  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 Ω10  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 Ω10   最大栅阈值电压 1.5V  DiodesZetex 最大栅阈值电压 1.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V   最大栅源电压 ±20 V  DiodesZetex 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• TRANSISTOR ZVNL120A
• ZVNL120A, N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET