BF904,215,510-005,NXP N沟道 Si MOSFET BF904,215, 30 mA, Vds=7 V, 4引脚 SOT封装 ,NXP
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BF904,215
NXP N沟道 Si MOSFET BF904,215, 30 mA, Vds=7 V, 4引脚 SOT封装
制造商零件编号:
BF904,215
制造商:
NXP
NXP
库存编号:
510-005
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BF904,215产品详细信息
双栅极射频 MOSFET 晶体管,Nexperia
BF904,215产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3mm
尺寸
3 x 1.4 x 1mm
典型输入电容值@Vds
1.5 pF@ 5 V, 2.2 pF@ 5 V
封装类型
SOT
高度
1mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
1.4mm
类别
射频 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
4
最大功率耗散
200 mW
最大连续漏极电流
30 mA
最大漏源电压
7 V
最大栅阈值电压
1.2V
最大栅源电压
6 V
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
0.3V
关键词
BF904,215相关搜索
安装类型 表面贴装
NXP 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
NXP MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 3mm
NXP 长度 3mm
MOSFET 晶体管 长度 3mm
NXP MOSFET 晶体管 长度 3mm
尺寸 3 x 1.4 x 1mm
NXP 尺寸 3 x 1.4 x 1mm
MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.4 x 1mm
NXP MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.4 x 1mm
典型输入电容值@Vds 1.5 pF@ 5 V, 2.2 pF@ 5 V
NXP 典型输入电容值@Vds 1.5 pF@ 5 V, 2.2 pF@ 5 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1.5 pF@ 5 V, 2.2 pF@ 5 V
NXP MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1.5 pF@ 5 V, 2.2 pF@ 5 V
封装类型 SOT
NXP 封装类型 SOT
MOSFET 晶体管 封装类型 SOT
NXP MOSFET 晶体管 封装类型 SOT
高度 1mm
NXP 高度 1mm
MOSFET 晶体管 高度 1mm
NXP MOSFET 晶体管 高度 1mm
晶体管材料 Si
NXP 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
NXP MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
NXP 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
NXP MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.4mm
NXP 宽度 1.4mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm
NXP MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm
类别 射频 MOSFET
NXP 类别 射频 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET
NXP MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET
每片芯片元件数目 1
NXP 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
NXP MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
NXP 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
NXP MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
NXP 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
NXP MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 4
NXP 引脚数目 4
MOSFET 晶体管 引脚数目 4
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最大功率耗散 200 mW
NXP 最大功率耗散 200 mW
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最大栅源电压 6 V
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MOSFET 晶体管 最大栅源电压 6 V
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最低工作温度 -65 °C
NXP 最低工作温度 -65 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -65 °C
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最高工作温度 +150 °C
NXP 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
NXP MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小栅阈值电压 0.3V
NXP 最小栅阈值电压 0.3V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.3V
NXP MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.3V
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BF904,215产品技术参数资料
N-Ch. Dual Gate MOSFET,7V,30mA,BF904
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