PHK12NQ03LT,518,509-774,NXP Si N沟道 MOSFET PHK12NQ03LT,518, 11.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 ,Nexperia
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

NXP Si N沟道 MOSFET PHK12NQ03LT,518, 11.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号：
PHK12NQ03LT,518
库存编号：
509-774
Nexperia PHK12NQ03LT,518
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

PHK12NQ03LT,518产品详细信息

N 通道 MOSFET，10A 至 99A，Nexperia

PHK12NQ03LT,518产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.45mm  
  典型关断延迟时间  37 ns  
  典型接通延迟时间  10.6 ns  
  典型输入电容值@Vds  1335 pF V @ 16  
  典型栅极电荷@Vgs  17.6 nC V @ 5  
  封装类型  SO  
  高度  1.45mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2500 mW  
  最大连续漏极电流  11.8 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  0.0105 Ω  
  最大栅阈值电压  2V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
关键词         

PHK12NQ03LT,518配套附件

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

PHK12NQ03LT,518相关搜索

安装类型 表面贴装  Nexperia 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Nexperia MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5mm  Nexperia 长度 5mm  MOSFET 晶体管 长度 5mm  Nexperia MOSFET 晶体管 长度 5mm   尺寸 5 x 4 x 1.45mm  Nexperia 尺寸 5 x 4 x 1.45mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.45mm  Nexperia MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.45mm   典型关断延迟时间 37 ns  Nexperia 典型关断延迟时间 37 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 37 ns  Nexperia MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 37 ns   典型接通延迟时间 10.6 ns  Nexperia 典型接通延迟时间 10.6 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10.6 ns  Nexperia MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10.6 ns   典型输入电容值@Vds 1335 pF V @ 16  Nexperia 典型输入电容值@Vds 1335 pF V @ 16  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1335 pF V @ 16  Nexperia MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1335 pF V @ 16   典型栅极电荷@Vgs 17.6 nC V @ 5  Nexperia 典型栅极电荷@Vgs 17.6 nC V @ 5  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 17.6 nC V @ 5  Nexperia MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 17.6 nC V @ 5   封装类型 SO  Nexperia 封装类型 SO  MOSFET 晶体管 封装类型 SO  Nexperia MOSFET 晶体管 封装类型 SO   高度 1.45mm  Nexperia 高度 1.45mm  MOSFET 晶体管 高度 1.45mm  Nexperia MOSFET 晶体管 高度 1.45mm   晶体管材料 Si  Nexperia 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Nexperia 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4mm  Nexperia 宽度 4mm  MOSFET 晶体管 宽度 4mm  Nexperia MOSFET 晶体管 宽度 4mm   类别 功率 MOSFET  Nexperia 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Nexperia MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Nexperia 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Nexperia MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Nexperia 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Nexperia MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Nexperia 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Nexperia MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  Nexperia 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Nexperia MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 2500 mW  Nexperia 最大功率耗散 2500 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2500 mW  Nexperia MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2500 mW   最大连续漏极电流 11.8 A  Nexperia 最大连续漏极电流 11.8 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11.8 A  Nexperia MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11.8 A   最大漏源电压 30 V  Nexperia 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 0.0105 Ω  Nexperia 最大漏源电阻值 0.0105 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.0105 Ω  Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.0105 Ω   最大栅阈值电压 2V  Nexperia 最大栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V  Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V   最大栅源电压 ±20 V  Nexperia 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Nexperia 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Nexperia MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Nexperia 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Nexperia MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  Nexperia 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Nexperia MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

PHK12NQ03LT,518产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号