关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	表面贴装
长度	5mm
尺寸	5 x 4 x 1.45mm
典型关断延迟时间	80 ns
典型接通延迟时间	11 ns
典型输入电容值@Vds	2800 pF V @ 20
典型栅极电荷@Vgs	30.3 nC V @ 4.5
封装类型	SO
高度	1.45mm
晶体管配置	单
宽度	4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	6250 mW
最大连续漏极电流	23.7 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	0.007 Ω
最大栅阈值电压	2V
最大栅源电压	20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

安装类型 表面贴装  NXP 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  NXP MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5mm  NXP 长度 5mm  MOSFET 晶体管 长度 5mm  NXP MOSFET 晶体管 长度 5mm   尺寸 5 x 4 x 1.45mm  NXP 尺寸 5 x 4 x 1.45mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.45mm  NXP MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.45mm   典型关断延迟时间 80 ns  NXP 典型关断延迟时间 80 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 80 ns  NXP MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 80 ns   典型接通延迟时间 11 ns  NXP 典型接通延迟时间 11 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11 ns  NXP MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11 ns   典型输入电容值@Vds 2800 pF V @ 20  NXP 典型输入电容值@Vds 2800 pF V @ 20  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2800 pF V @ 20  NXP MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2800 pF V @ 20   典型栅极电荷@Vgs 30.3 nC V @ 4.5  NXP 典型栅极电荷@Vgs 30.3 nC V @ 4.5  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 30.3 nC V @ 4.5  NXP MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 30.3 nC V @ 4.5   封装类型 SO  NXP 封装类型 SO  MOSFET 晶体管 封装类型 SO  NXP MOSFET 晶体管 封装类型 SO   高度 1.45mm  NXP 高度 1.45mm  MOSFET 晶体管 高度 1.45mm  NXP MOSFET 晶体管 高度 1.45mm   晶体管配置 单  NXP 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  NXP MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4mm  NXP 宽度 4mm  MOSFET 晶体管 宽度 4mm  NXP MOSFET 晶体管 宽度 4mm   类别 功率 MOSFET  NXP 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  NXP MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  NXP 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  NXP MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  NXP 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  NXP MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  NXP 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  NXP MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  NXP 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  NXP MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 6250 mW  NXP 最大功率耗散 6250 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 6250 mW  NXP MOSFET 晶体管 最大功率耗散 6250 mW   最大连续漏极电流 23.7 A  NXP 最大连续漏极电流 23.7 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 23.7 A  NXP MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 23.7 A   最大漏源电压 30 V  NXP 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 0.007 Ω  NXP 最大漏源电阻值 0.007 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.007 Ω  NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.007 Ω   最大栅阈值电压 2V  NXP 最大栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V  NXP MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V   最大栅源电压 20 V  NXP 最大栅源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 20 V  NXP MOSFET 晶体管 最大栅源电压 20 V   最低工作温度 -55 °C  NXP 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  NXP MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  NXP 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  NXP MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  NXP 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  NXP MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  

• N-Ch. TRENCHMOS,40V,PHK28NQ03LT