SI2304DS,508-826,NXP N沟道 MOSFET 晶体管 SI2304DS, 1.7 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236AB封装 ,NXP
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NXP N沟道 MOSFET 晶体管 SI2304DS, 1.7 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236AB封装

制造商零件编号:
SI2304DS
制造商:
NXP NXP
库存编号:
508-826
NXP SI2304DS
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SI2304DS产品详细信息

N 通道 MOSFET,1A 至 9A,Nexperia

SI2304DS产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3mm  
  尺寸  3 x 1.4 x 1mm  
  典型关断延迟时间  18 ns  
  典型接通延迟时间  4 ns  
  典型输入电容值@Vds  147 pF@ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  4.6 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-236AB  
  高度  1mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  830 mW  
  最大连续漏极电流  1.7 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  177 mΩ  
  最大栅阈值电压  2V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -65 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.5V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI2304DS产品技术参数资料

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