IRFB3206PBF,495-574,Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3206PBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3206PBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
IRFB3206PBF
库存编号：
495-574
Infineon IRFB3206PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRFB3206PBF产品详细信息

电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET，Infineon

电动机控制 MOSFET

Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。

同步整流器 MOSFET

同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。

IRFB3206PBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 4.83 x 9.02mm  
  典型关断延迟时间  55 ns  
  典型接通延迟时间  19 ns  
  典型输入电容值@Vds  6540 pF@ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  120 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  9.02mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.83mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  300000 mW  
  最大连续漏极电流  210 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  3 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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IRFB3206PBF配套附件

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IRFB3206PBF相关搜索

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRFB3206PBF产品技术参数资料

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