NTF3055L108T1G,463-307,ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTF3055L108T1G, 3 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装 ,ON Semiconductor
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NTF3055L108T1G
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTF3055L108T1G, 3 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
制造商零件编号：
NTF3055L108T1G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
463-307
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
NTF3055L108T1G产品详细信息
N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor
NTF3055L108T1G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.5mm
尺寸
6.5 x 3.5 x 1.57mm
典型关断延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
11 ns
典型输入电容值@Vds
313 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
7.6 nC @ 5 V
封装类型
SOT-223
高度
1.57mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
3.5mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3+Tab
最大功率耗散
2.1 W
最大连续漏极电流
3 A
最大漏源电压
60 V
最大漏源电阻值
120 mΩ
最大栅阈值电压
2V
最大栅源电压
±15 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
关键词
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Wurth Elektronik 930件 铁氧体设计套件 823999
制造商零件编号：
823999
品牌：
Wurth Elektronik
库存编号：
762-2124
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安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 6.5mm
ON Semiconductor 长度 6.5mm
MOSFET 晶体管 长度 6.5mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 6.5mm
尺寸 6.5 x 3.5 x 1.57mm
ON Semiconductor 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.57mm
MOSFET 晶体管 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.57mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.57mm
典型关断延迟时间 22 ns
ON Semiconductor 典型关断延迟时间 22 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 22 ns
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 11 ns
ON Semiconductor 典型接通延迟时间 11 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11 ns
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11 ns
典型输入电容值@Vds 313 pF@ 25 V
ON Semiconductor 典型输入电容值@Vds 313 pF@ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 313 pF@ 25 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 313 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 7.6 nC @ 5 V
ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 7.6 nC @ 5 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 7.6 nC @ 5 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 7.6 nC @ 5 V
封装类型 SOT-223
ON Semiconductor 封装类型 SOT-223
MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223
高度 1.57mm
ON Semiconductor 高度 1.57mm
MOSFET 晶体管 高度 1.57mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1.57mm
晶体管材料 Si
ON Semiconductor 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 3.5mm
ON Semiconductor 宽度 3.5mm
MOSFET 晶体管 宽度 3.5mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 3.5mm
类别 功率 MOSFET
ON Semiconductor 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
ON Semiconductor 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
ON Semiconductor 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3+Tab
ON Semiconductor 引脚数目 3+Tab
MOSFET 晶体管 引脚数目 3+Tab
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3+Tab
最大功率耗散 2.1 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 2.1 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.1 W
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.1 W
最大连续漏极电流 3 A
ON Semiconductor 最大连续漏极电流 3 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3 A
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3 A
最大漏源电压 60 V
ON Semiconductor 最大漏源电压 60 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
最大漏源电阻值 120 mΩ
ON Semiconductor 最大漏源电阻值 120 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 120 mΩ
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 120 mΩ
最大栅阈值电压 2V
ON Semiconductor 最大栅阈值电压 2V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V
最大栅源电压 ±15 V
ON Semiconductor 最大栅源电压 ±15 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±15 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±15 V
最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +175 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +175 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
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NTF3055L108T1G产品技术参数资料
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