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安装类型	表面贴装
长度	5mm
尺寸	5 x 5 x 0.95mm
典型输入电容值@Vds	1190 pF@ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	15 nC @ 5 V，27 nC @ 10 V
封装类型	SOP 高级
高度	0.95mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	2800 mW
最大连续漏极电流	7.5 A
最大漏源电压	40 V
最大漏源电阻值	30 mΩ
最大栅阈值电压	2V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• TPCA8107-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (Ultra-High-speed U-MOSIII) Data Sheet