TPCA8004-H(TE12L,Q),415-386,Toshiba N沟道 MOSFET 晶体管 TPCA8004-H(TE12L,Q), 40 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装 ,Toshiba
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TPCA8004-H(TE12L,Q)
Toshiba N沟道 MOSFET 晶体管 TPCA8004-H(TE12L,Q), 40 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装
制造商零件编号:
TPCA8004-H(TE12L,Q)
制造商:
Toshiba
Toshiba
库存编号:
415-386
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
TPCA8004-H(TE12L,Q)产品详细信息
MOSFET N 通道,TPCAxxxx,Toshiba
TPCA8004-H(TE12L,Q)产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
5mm
尺寸
5 x 5 x 0.95mm
典型输入电容值@Vds
2265 pF V @ 10
典型栅极电荷@Vgs
20 nC V @ 5, 37 nC V @ 10
封装类型
SOP
高度
0.95mm
宽度
5mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
8
最大功率耗散
45000 mW
最大连续漏极电流
40 A
最大漏源电压
30 V
最大漏源电阻值
0.005 Ω
最大栅阈值电压
2.3V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
TPCA8004-H(TE12L,Q)关联产品
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Toshiba 光耦 TLP3043(S,C,F), 直流输入, 三端双向可控硅开关元件输出, 5引脚 PDIP 封装
制造商零件编号:
TLP3043(S,C,F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
769-0281
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MOSFET 晶体管 长度 5mm
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尺寸 5 x 5 x 0.95mm
Toshiba 尺寸 5 x 5 x 0.95mm
MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 5 x 0.95mm
Toshiba MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 5 x 0.95mm
典型输入电容值@Vds 2265 pF V @ 10
Toshiba 典型输入电容值@Vds 2265 pF V @ 10
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2265 pF V @ 10
Toshiba MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2265 pF V @ 10
典型栅极电荷@Vgs 20 nC V @ 5, 37 nC V @ 10
Toshiba 典型栅极电荷@Vgs 20 nC V @ 5, 37 nC V @ 10
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 20 nC V @ 5, 37 nC V @ 10
Toshiba MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 20 nC V @ 5, 37 nC V @ 10
封装类型 SOP
Toshiba 封装类型 SOP
MOSFET 晶体管 封装类型 SOP
Toshiba MOSFET 晶体管 封装类型 SOP
高度 0.95mm
Toshiba 高度 0.95mm
MOSFET 晶体管 高度 0.95mm
Toshiba MOSFET 晶体管 高度 0.95mm
宽度 5mm
Toshiba 宽度 5mm
MOSFET 晶体管 宽度 5mm
Toshiba MOSFET 晶体管 宽度 5mm
类别 功率 MOSFET
Toshiba 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Toshiba MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Toshiba 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
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通道类型 N
Toshiba 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
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通道模式 增强
Toshiba 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
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引脚数目 8
Toshiba 引脚数目 8
MOSFET 晶体管 引脚数目 8
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最大功率耗散 45000 mW
Toshiba 最大功率耗散 45000 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 45000 mW
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最大连续漏极电流 40 A
Toshiba 最大连续漏极电流 40 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 40 A
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最大漏源电压 30 V
Toshiba 最大漏源电压 30 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
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最大漏源电阻值 0.005 Ω
Toshiba 最大漏源电阻值 0.005 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.005 Ω
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最大栅阈值电压 2.3V
Toshiba 最大栅阈值电压 2.3V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.3V
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最大栅源电压 ±20 V
Toshiba 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最低工作温度 -55 °C
Toshiba 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
Toshiba 最高工作温度 +150 °C
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