TPCA8004-H(TE12L,Q),415-386,Toshiba N沟道 MOSFET 晶体管 TPCA8004-H(TE12L,Q), 40 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装 ,Toshiba
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Toshiba N沟道 MOSFET 晶体管 TPCA8004-H(TE12L,Q), 40 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装

制造商零件编号:
TPCA8004-H(TE12L,Q)
制造商:
Toshiba Toshiba
库存编号:
415-386
Toshiba TPCA8004-H(TE12L,Q)
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

TPCA8004-H(TE12L,Q)产品详细信息

MOSFET N 通道,TPCAxxxx,Toshiba

TPCA8004-H(TE12L,Q)产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 5 x 0.95mm  
  典型输入电容值@Vds  2265 pF V @ 10  
  典型栅极电荷@Vgs  20 nC V @ 5, 37 nC V @ 10  
  封装类型  SOP  
  高度  0.95mm  
  宽度  5mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  45000 mW  
  最大连续漏极电流  40 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  0.005 Ω  
  最大栅阈值电压  2.3V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

TPCA8004-H(TE12L,Q)关联产品

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

TPCA8004-H(TE12L,Q)相关搜索

安装类型 表面贴装  Toshiba 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Toshiba MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5mm  Toshiba 长度 5mm  MOSFET 晶体管 长度 5mm  Toshiba MOSFET 晶体管 长度 5mm   尺寸 5 x 5 x 0.95mm  Toshiba 尺寸 5 x 5 x 0.95mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 5 x 0.95mm  Toshiba MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 5 x 0.95mm   典型输入电容值@Vds 2265 pF V @ 10  Toshiba 典型输入电容值@Vds 2265 pF V @ 10  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2265 pF V @ 10  Toshiba MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2265 pF V @ 10   典型栅极电荷@Vgs 20 nC V @ 5, 37 nC V @ 10  Toshiba 典型栅极电荷@Vgs 20 nC V @ 5, 37 nC V @ 10  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 20 nC V @ 5, 37 nC V @ 10  Toshiba MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 20 nC V @ 5, 37 nC V @ 10   封装类型 SOP  Toshiba 封装类型 SOP  MOSFET 晶体管 封装类型 SOP  Toshiba MOSFET 晶体管 封装类型 SOP   高度 0.95mm  Toshiba 高度 0.95mm  MOSFET 晶体管 高度 0.95mm  Toshiba MOSFET 晶体管 高度 0.95mm   宽度 5mm  Toshiba 宽度 5mm  MOSFET 晶体管 宽度 5mm  Toshiba MOSFET 晶体管 宽度 5mm   类别 功率 MOSFET  Toshiba 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Toshiba MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Toshiba 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Toshiba MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Toshiba 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Toshiba MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Toshiba 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Toshiba MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  Toshiba 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Toshiba MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 45000 mW  Toshiba 最大功率耗散 45000 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 45000 mW  Toshiba MOSFET 晶体管 最大功率耗散 45000 mW   最大连续漏极电流 40 A  Toshiba 最大连续漏极电流 40 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 40 A  Toshiba MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 40 A   最大漏源电压 30 V  Toshiba 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Toshiba MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 0.005 Ω  Toshiba 最大漏源电阻值 0.005 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.005 Ω  Toshiba MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.005 Ω   最大栅阈值电压 2.3V  Toshiba 最大栅阈值电压 2.3V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.3V  Toshiba MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.3V   最大栅源电压 ±20 V  Toshiba 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Toshiba MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Toshiba 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Toshiba MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Toshiba 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Toshiba MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号