2SK3878(F),415-354,Toshiba N沟道 Si MOSFET 2SK3878(F), 9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装 ,Toshiba
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Toshiba N沟道 Si MOSFET 2SK3878(F), 9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装

制造商零件编号：
2SK3878(F)
制造商：
Toshiba Toshiba
库存编号：
415-354
Toshiba 2SK3878(F)
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

2SK3878(F)产品详细信息

MOSFET N 通道，2SK 系列，Toshiba

2SK3878(F)产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.9mm  
  尺寸  15.9 x 4.8 x 19mm  
  典型输入电容值@Vds  2200 pF V @ 25  
  典型栅极电荷@Vgs  60 nC V @ 10  
  封装类型  TO-3PN  
  高度  19mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.8mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  150000 mW  
  最大连续漏极电流  9 A  
  最大漏源电压  900 V  
  最大漏源电阻值  1.3 Ω  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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2SK3878(F)产品技术参数资料

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