TPC6108(TE85L,F),415-336,Toshiba P沟道 MOSFET 晶体管 TPC6108(TE85L,F), 4.5 A, Vds=30 V, 6引脚 VS封装 ,Toshiba
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TPC6108(TE85L,F)
Toshiba P沟道 MOSFET 晶体管 TPC6108(TE85L,F), 4.5 A, Vds=30 V, 6引脚 VS封装
制造商零件编号:
TPC6108(TE85L,F)
制造商:
Toshiba
Toshiba
库存编号:
415-336
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
TPC6108(TE85L,F)产品详细信息
MOSFET P 通道,TPC 系列,Toshiba
TPC6108(TE85L,F)产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.9mm
尺寸
2.9 x 1.6 x 0.7mm
典型输入电容值@Vds
570 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs
13 nC @ 10 V
封装类型
VS
高度
0.7mm
宽度
1.6mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
P
通道模式
增强
引脚数目
6
最大功率耗散
2200 mW
最大连续漏极电流
4.5 A
最大漏源电压
30 V
最大漏源电阻值
60 mΩ
最大栅阈值电压
2V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
TPC6108(TE85L,F)关联产品
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Toshiba 光耦 TLP161J(TPL,U,C,F), 直流输入, 可控硅输出, 4引脚 MFSOP6 封装
制造商零件编号:
TLP161J(TPL,U,C,F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
760-3195
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安装类型 表面贴装
Toshiba 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
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长度 2.9mm
Toshiba 长度 2.9mm
MOSFET 晶体管 长度 2.9mm
Toshiba MOSFET 晶体管 长度 2.9mm
尺寸 2.9 x 1.6 x 0.7mm
Toshiba 尺寸 2.9 x 1.6 x 0.7mm
MOSFET 晶体管 尺寸 2.9 x 1.6 x 0.7mm
Toshiba MOSFET 晶体管 尺寸 2.9 x 1.6 x 0.7mm
典型输入电容值@Vds 570 pF @ 10 V
Toshiba 典型输入电容值@Vds 570 pF @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 570 pF @ 10 V
Toshiba MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 570 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V
Toshiba 典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V
Toshiba MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V
封装类型 VS
Toshiba 封装类型 VS
MOSFET 晶体管 封装类型 VS
Toshiba MOSFET 晶体管 封装类型 VS
高度 0.7mm
Toshiba 高度 0.7mm
MOSFET 晶体管 高度 0.7mm
Toshiba MOSFET 晶体管 高度 0.7mm
宽度 1.6mm
Toshiba 宽度 1.6mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.6mm
Toshiba MOSFET 晶体管 宽度 1.6mm
类别 功率 MOSFET
Toshiba 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Toshiba MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Toshiba 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Toshiba MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 P
Toshiba 通道类型 P
MOSFET 晶体管 通道类型 P
Toshiba MOSFET 晶体管 通道类型 P
通道模式 增强
Toshiba 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Toshiba MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 6
Toshiba 引脚数目 6
MOSFET 晶体管 引脚数目 6
Toshiba MOSFET 晶体管 引脚数目 6
最大功率耗散 2200 mW
Toshiba 最大功率耗散 2200 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2200 mW
Toshiba MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2200 mW
最大连续漏极电流 4.5 A
Toshiba 最大连续漏极电流 4.5 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.5 A
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最大漏源电压 30 V
Toshiba 最大漏源电压 30 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
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最大漏源电阻值 60 mΩ
Toshiba 最大漏源电阻值 60 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 60 mΩ
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最大栅阈值电压 2V
Toshiba 最大栅阈值电压 2V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V
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最大栅源电压 ±20 V
Toshiba 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最低工作温度 -55 °C
Toshiba 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
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TPC6108(TE85L,F)产品技术参数资料
TPC6108 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅣ) Data Sheet
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