2SK3471(TE12L,F),415-263,Toshiba N沟道 MOSFET 晶体管 2SK3471(TE12L,F), 500 mA, Vds=500 V, 4引脚 PW Mini封装 ,Toshiba
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2SK3471(TE12L,F)
Toshiba N沟道 MOSFET 晶体管 2SK3471(TE12L,F), 500 mA, Vds=500 V, 4引脚 PW Mini封装
制造商零件编号:
2SK3471(TE12L,F)
制造商:
Toshiba
Toshiba
库存编号:
415-263
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
2SK3471(TE12L,F)产品详细信息
MOSFET N 通道,2SK 系列,Toshiba
2SK3471(TE12L,F)产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
4.6mm
尺寸
4.6 x 2.5 x 1.6mm
典型输入电容值@Vds
75 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs
3.8 nC @ 10 V
封装类型
PW Mini
高度
1.6mm
晶体管配置
单
宽度
2.5mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
4
最大功率耗散
1500 mW
最大连续漏极电流
500 mA
最大漏源电压
500 V
最大漏源电阻值
Ω18
最大栅阈值电压
4V
最大栅源电压
±30 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Wurth Elektronik 930件 铁氧体设计套件 823999
制造商零件编号:
823999
品牌:
Wurth Elektronik
库存编号:
762-2124
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Toshiba MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 4.6mm
Toshiba 长度 4.6mm
MOSFET 晶体管 长度 4.6mm
Toshiba MOSFET 晶体管 长度 4.6mm
尺寸 4.6 x 2.5 x 1.6mm
Toshiba 尺寸 4.6 x 2.5 x 1.6mm
MOSFET 晶体管 尺寸 4.6 x 2.5 x 1.6mm
Toshiba MOSFET 晶体管 尺寸 4.6 x 2.5 x 1.6mm
典型输入电容值@Vds 75 pF @ 10 V
Toshiba 典型输入电容值@Vds 75 pF @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 75 pF @ 10 V
Toshiba MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 75 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs 3.8 nC @ 10 V
Toshiba 典型栅极电荷@Vgs 3.8 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 3.8 nC @ 10 V
Toshiba MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 3.8 nC @ 10 V
封装类型 PW Mini
Toshiba 封装类型 PW Mini
MOSFET 晶体管 封装类型 PW Mini
Toshiba MOSFET 晶体管 封装类型 PW Mini
高度 1.6mm
Toshiba 高度 1.6mm
MOSFET 晶体管 高度 1.6mm
Toshiba MOSFET 晶体管 高度 1.6mm
晶体管配置 单
Toshiba 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Toshiba MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 2.5mm
Toshiba 宽度 2.5mm
MOSFET 晶体管 宽度 2.5mm
Toshiba MOSFET 晶体管 宽度 2.5mm
类别 功率 MOSFET
Toshiba 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Toshiba MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Toshiba 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Toshiba MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Toshiba 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Toshiba MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Toshiba 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Toshiba MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 4
Toshiba 引脚数目 4
MOSFET 晶体管 引脚数目 4
Toshiba MOSFET 晶体管 引脚数目 4
最大功率耗散 1500 mW
Toshiba 最大功率耗散 1500 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1500 mW
Toshiba MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1500 mW
最大连续漏极电流 500 mA
Toshiba 最大连续漏极电流 500 mA
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 500 mA
Toshiba MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 500 mA
最大漏源电压 500 V
Toshiba 最大漏源电压 500 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V
Toshiba MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V
最大漏源电阻值 Ω18
Toshiba 最大漏源电阻值 Ω18
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 Ω18
Toshiba MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 Ω18
最大栅阈值电压 4V
Toshiba 最大栅阈值电压 4V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V
Toshiba MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V
最大栅源电压 ±30 V
Toshiba 最大栅源电压 ±30 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V
Toshiba MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V
最低工作温度 -55 °C
Toshiba 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
Toshiba 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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2SK3471(TE12L,F)产品技术参数资料
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