2SJ668(TE16L,NQ),415-174,Toshiba Si P沟道 MOSFET 2SJ668(TE16L,NQ), 5 A, Vds=60 V, 3引脚 PW Mold封装 ,Toshiba
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Toshiba Si P沟道 MOSFET 2SJ668(TE16L,NQ), 5 A, Vds=60 V, 3引脚 PW Mold封装

制造商零件编号：
2SJ668(TE16L,NQ)
制造商：
Toshiba Toshiba
库存编号：
415-174
Toshiba 2SJ668(TE16L,NQ)
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2SJ668(TE16L,NQ)产品详细信息

MOSFET P 通道，2SJ 系列，Toshiba

2SJ668(TE16L,NQ)产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.5mm  
  尺寸  6.5 x 5.5 x 2.3mm  
  典型输入电容值@Vds  700 pF@ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  15 nC @ 10 V  
  封装类型  PW Mold  
  高度  2.3mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.5mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  20000 mW  
  最大连续漏极电流  5 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  170 mΩ  
  最大栅阈值电压  2V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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Toshiba		MOSFET，P沟道，60V，5A，逻辑，PW-Mold
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Toshiba - 2SJ668(TE16L,NQ) - Toshiba Si P沟道 MOSFET 2SJ668(TE16L,NQ), 5 A, Vds=60 V, 3引脚 PW Mold封装
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Toshiba
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2SJ668(TE16L,NQ)产品技术参数资料

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