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安装类型	通孔
长度	5mm
尺寸	5 x 6.29 x 3.37mm
典型关断延迟时间	16 ns
典型接通延迟时间	9.3 ns
典型输入电容值@Vds	250 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	6.1 nC @ 5 V
封装类型	HVMDIP
高度	3.37mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	6.29mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	4
最大功率耗散	1.3 W
最大连续漏极电流	1 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	540 mΩ
最大栅源电压	±10 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

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• IRLD110PBF Transistor MOSFET Data Sheet