IRLML6401TRPBF,301-316,Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6401TRPBF, 4.3 A, Vds=12 V, 3引脚 微型封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6401TRPBF, 4.3 A, Vds=12 V, 3引脚 微型封装

制造商零件编号：
IRLML6401TRPBF
库存编号：
301-316
Infineon IRLML6401TRPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


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IRLML6401TRPBF产品详细信息

P 通道功率 MOSFET 12V 到 20V，Infineon

Infineon 分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRLML6401TRPBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.04mm  
  尺寸  3.04 x 1.4 x 1.02mm  
  典型关断延迟时间  250 ns  
  典型接通延迟时间  11 ns  
  典型输入电容值@Vds  830 pF@ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  10 nC @ 5 V  
  封装类型  微型  
  高度  1.02mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  1.3 W  
  最大连续漏极电流  4.3 A  
  最大漏源电压  12 V  
  最大漏源电阻值  50 mΩ  
  最大栅阈值电压  0.95V  
  最大栅源电压  ±8 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.4V  
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安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.04mm  Infineon 长度 3.04mm  MOSFET 晶体管 长度 3.04mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 3.04mm   尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm  Infineon 尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm   典型关断延迟时间 250 ns  Infineon 典型关断延迟时间 250 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 250 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 250 ns   典型接通延迟时间 11 ns  Infineon 典型接通延迟时间 11 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11 ns   典型输入电容值@Vds 830 pF@ 10 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 830 pF@ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 830 pF@ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 830 pF@ 10 V   典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 5 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 5 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 5 V   封装类型 微型  Infineon 封装类型 微型  MOSFET 晶体管 封装类型 微型  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 微型   高度 1.02mm  Infineon 高度 1.02mm  MOSFET 晶体管 高度 1.02mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 1.02mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.4mm  Infineon 宽度 1.4mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Infineon 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 1.3 W  Infineon 最大功率耗散 1.3 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.3 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.3 W   最大连续漏极电流 4.3 A  Infineon 最大连续漏极电流 4.3 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.3 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.3 A   最大漏源电压 12 V  Infineon 最大漏源电压 12 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 12 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 12 V   最大漏源电阻值 50 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 50 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 50 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 50 mΩ   最大栅阈值电压 0.95V  Infineon 最大栅阈值电压 0.95V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 0.95V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 0.95V   最大栅源电压 ±8 V  Infineon 最大栅源电压 ±8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.4V  Infineon 最小栅阈值电压 0.4V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.4V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.4V  
参考价格及参考库存
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IRLML6401TRPBF
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MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23

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IRLML6401TRPBF
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MOSFET MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl

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Trans MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin Micro T/R (Alt: IRLML6401TRPBF)

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Trans MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin Micro T/R - Tape and Reel (Alt: IRLML6401TRPBF)

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Trans MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin Micro T/R - Cut TR (SOS) (Alt: IRLML6401TRPBF/BKN)

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Trans MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: IRLML6401TRPBF-1)

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Trans MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: IRLML6401TRPBF-1)

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MOSFET, P, MICRO3

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MOSFET, Power, P-Ch, VDSS -12V, RDS(ON) 0.05Ohm, ID -4.3A, Micro3, PD 1.3W, VGS +/-8V

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4.3 A, 12 V, 0.05 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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4.3 A, 12 V, 0.05 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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International Rectifier - IRLML6401TRPBF - VGS +/-8V PD 1.3W Micro3 ID -4.3A RDS(ON) 0.05Ohm VDSS -12V P-Ch MOSFET, Power|70017403 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -12V; RDS(ON) 0.05Ohm; ID -4.3A; Micro3; PD 1.3W; VGS +/-8V

型号：IRLML6401TRPBF
仓库库存编号：70017403

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Infineon Technologies - IRLML6401TRPBF - MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23		Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23

型号：IRLML6401TRPBF
仓库库存编号：IRLML6401PBFCT-ND
别名：*IRLML6401TRPBF <br>IRLML6401PBFCT <br>

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IRLML6401TRPBF|International RectifierIRLML6401TRPBF
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Infineon - IRLML6401TRPBF - Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6401TRPBF, 4.3 A, Vds=12 V, 3引脚 微型封装
制造商零件编号：
IRLML6401TRPBF
品牌：
Infineon
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Infineon - IRLML6401TRPBF - Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6401TRPBF, 4.3 A, Vds=12 V, 3引脚 微型封装
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IRLML6401TRPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
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IRLML6401TRPBF
INFINEON IRLML6401TRPBF		1463267

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mV

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IRLML6401TRPBF
INFINEON IRLML6401TRPBF		1463267RL

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晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mV

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IRLML6401TRPBF产品技术参数资料

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