ZVP3306FTA,275-973,DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZVP3306FTA, 90 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装 ,DiodesZetex
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ZVP3306FTA
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZVP3306FTA, 90 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号:
ZVP3306FTA
制造商:
DiodesZetex
DiodesZetex
库存编号:
275-973
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
ZVP3306FTA产品详细信息
P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc
ZVP3306FTA产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3.05mm
尺寸
3.05 x 1.4 x 1mm
典型关断延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
8 ns
典型输入电容值@Vds
50 pF@ 18 V
封装类型
SOT-23
高度
1mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
1.4mm
类别
小信号
每片芯片元件数目
1
通道类型
P
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
330 mW
最大连续漏极电流
90 mA
最大漏源电压
60 V
最大漏源电阻值
Ω14
最大栅阈值电压
3.5V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
ZVP3306FTA相关搜索
安装类型 表面贴装
DiodesZetex 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 3.05mm
DiodesZetex 长度 3.05mm
MOSFET 晶体管 长度 3.05mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 3.05mm
尺寸 3.05 x 1.4 x 1mm
DiodesZetex 尺寸 3.05 x 1.4 x 1mm
MOSFET 晶体管 尺寸 3.05 x 1.4 x 1mm
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典型关断延迟时间 8 ns
DiodesZetex 典型关断延迟时间 8 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 8 ns
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 8 ns
DiodesZetex 典型接通延迟时间 8 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8 ns
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典型输入电容值@Vds 50 pF@ 18 V
DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 50 pF@ 18 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 50 pF@ 18 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 50 pF@ 18 V
封装类型 SOT-23
DiodesZetex 封装类型 SOT-23
MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23
DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23
高度 1mm
DiodesZetex 高度 1mm
MOSFET 晶体管 高度 1mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 1mm
晶体管材料 Si
DiodesZetex 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
DiodesZetex 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
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宽度 1.4mm
DiodesZetex 宽度 1.4mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm
类别 小信号
DiodesZetex 类别 小信号
MOSFET 晶体管 类别 小信号
DiodesZetex MOSFET 晶体管 类别 小信号
每片芯片元件数目 1
DiodesZetex 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 P
DiodesZetex 通道类型 P
MOSFET 晶体管 通道类型 P
DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 P
通道模式 增强
DiodesZetex 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
DiodesZetex 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 330 mW
DiodesZetex 最大功率耗散 330 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 330 mW
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 330 mW
最大连续漏极电流 90 mA
DiodesZetex 最大连续漏极电流 90 mA
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 90 mA
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最大漏源电压 60 V
DiodesZetex 最大漏源电压 60 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
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最大漏源电阻值 Ω14
DiodesZetex 最大漏源电阻值 Ω14
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 Ω14
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 Ω14
最大栅阈值电压 3.5V
DiodesZetex 最大栅阈值电压 3.5V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.5V
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最大栅源电压 ±20 V
DiodesZetex 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最低工作温度 -55 °C
DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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ZVP3306FTA产品技术参数资料
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