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安装类型	表面贴装
长度	6.7mm
尺寸	6.7 x 3.7 x 1.7mm
典型关断延迟时间	21 ns
典型接通延迟时间	6 ns
典型输入电容值@Vds	250 pF V @ 20
典型栅极电荷@Vgs	6 nC V @ 10
封装类型	SC-73
高度	1.7mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	3.7mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	4
最大功率耗散	8300 mW
最大连续漏极电流	3.2 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	0.1 Ω
最大栅阈值电压	2.8V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-65 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

安装类型 表面贴装  NXP 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  NXP MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.7mm  NXP 长度 6.7mm  MOSFET 晶体管 长度 6.7mm  NXP MOSFET 晶体管 长度 6.7mm   尺寸 6.7 x 3.7 x 1.7mm  NXP 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.7mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.7mm  NXP MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.7mm   典型关断延迟时间 21 ns  NXP 典型关断延迟时间 21 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 21 ns  NXP MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 21 ns   典型接通延迟时间 6 ns  NXP 典型接通延迟时间 6 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6 ns  NXP MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6 ns   典型输入电容值@Vds 250 pF V @ 20  NXP 典型输入电容值@Vds 250 pF V @ 20  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 250 pF V @ 20  NXP MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 250 pF V @ 20   典型栅极电荷@Vgs 6 nC V @ 10  NXP 典型栅极电荷@Vgs 6 nC V @ 10  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 6 nC V @ 10  NXP MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 6 nC V @ 10   封装类型 SC-73  NXP 封装类型 SC-73  MOSFET 晶体管 封装类型 SC-73  NXP MOSFET 晶体管 封装类型 SC-73   高度 1.7mm  NXP 高度 1.7mm  MOSFET 晶体管 高度 1.7mm  NXP MOSFET 晶体管 高度 1.7mm   晶体管材料 Si  NXP 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  NXP MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  NXP 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  NXP MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.7mm  NXP 宽度 3.7mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.7mm  NXP MOSFET 晶体管 宽度 3.7mm   类别 功率 MOSFET  NXP 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  NXP MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  NXP 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  NXP MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  NXP 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  NXP MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  NXP 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  NXP MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 4  NXP 引脚数目 4  MOSFET 晶体管 引脚数目 4  NXP MOSFET 晶体管 引脚数目 4   最大功率耗散 8300 mW  NXP 最大功率耗散 8300 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 8300 mW  NXP MOSFET 晶体管 最大功率耗散 8300 mW   最大连续漏极电流 3.2 A  NXP 最大连续漏极电流 3.2 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.2 A  NXP MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.2 A   最大漏源电压 30 V  NXP 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 0.1 Ω  NXP 最大漏源电阻值 0.1 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.1 Ω  NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.1 Ω   最大栅阈值电压 2.8V  NXP 最大栅阈值电压 2.8V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.8V  NXP MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.8V   最大栅源电压 ±20 V  NXP 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  NXP MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -65 °C  NXP 最低工作温度 -65 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -65 °C  NXP MOSFET 晶体管 最低工作温度 -65 °C   最高工作温度 +150 °C  NXP 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  NXP MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  NXP 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  NXP MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  

• BSP100 N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor Data Sheet