STD5N20,248-990,STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD5N20, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装 ,STMicroelectronics
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STD5N20
STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD5N20, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
制造商零件编号:
STD5N20
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
248-990
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STD5N20产品详细信息
N 通道 STripFET?,STMicroelectronics
STD5N20产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.6mm
尺寸
6.6 x 6.2 x 2.4mm
典型接通延迟时间
18 ns
典型输入电容值@Vds
350 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
19 nC @ 10 V
封装类型
DPAK
高度
2.4mm
宽度
6.2mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
STripFET
引脚数目
3
最大功率耗散
45 W
最大连续漏极电流
5 A
最大漏源电压
200 V
最大漏源电阻值
800 mΩ
最大栅阈值电压
4V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
2V
关键词
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Wurth Elektronik 930件 铁氧体设计套件 823999
制造商零件编号:
823999
品牌:
Wurth Elektronik
库存编号:
762-2124
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安装类型 表面贴装
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长度 6.6mm
STMicroelectronics 长度 6.6mm
MOSFET 晶体管 长度 6.6mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 6.6mm
尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm
STMicroelectronics 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm
MOSFET 晶体管 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm
典型接通延迟时间 18 ns
STMicroelectronics 典型接通延迟时间 18 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 18 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 18 ns
典型输入电容值@Vds 350 pF @ 25 V
STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 350 pF @ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 350 pF @ 25 V
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典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V
STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V
封装类型 DPAK
STMicroelectronics 封装类型 DPAK
MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK
高度 2.4mm
STMicroelectronics 高度 2.4mm
MOSFET 晶体管 高度 2.4mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 2.4mm
宽度 6.2mm
STMicroelectronics 宽度 6.2mm
MOSFET 晶体管 宽度 6.2mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 6.2mm
类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
STMicroelectronics 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
STMicroelectronics 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 STripFET
STMicroelectronics 系列 STripFET
MOSFET 晶体管 系列 STripFET
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 STripFET
引脚数目 3
STMicroelectronics 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 45 W
STMicroelectronics 最大功率耗散 45 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 45 W
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最大连续漏极电流 5 A
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最大漏源电压 200 V
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最大漏源电阻值 800 mΩ
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最高工作温度 +150 °C
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最小栅阈值电压 2V
STMicroelectronics 最小栅阈值电压 2V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
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STD5N20产品技术参数资料
STD5N20 MESH OVERLAY MOSFET Data Sheet
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