STS8C5H30L,248-877,STMicroelectronics STripFET 系列 双 N/P沟道 MOSFET STS8C5H30L, 5.4 A, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 ,STMicroelectronics
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

STMicroelectronics STripFET 系列 双 N/P沟道 MOSFET STS8C5H30L, 5.4 A, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
STS8C5H30L
库存编号:
248-877
STMicroelectronics STS8C5H30L
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

STS8C5H30L产品详细信息

N/P 通道 STripFET? 双 MOSFET,STMicroelectronics

STripFET? MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

STS8C5H30L产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.25mm  
  典型关断延迟时间  125(P 通道)ns,23(N 通道)ns  
  典型接通延迟时间  12(N 通道)ns,25(P 通道)ns  
  典型输入电容值@Vds  1350 pF @ 25 V(P 沟道),857 pF @ 25 V(N 沟道)  
  典型栅极电荷@Vgs  12.5 nC @ 5 V,7 nC @ 5 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.25mm  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N,P  
  通道模式  增强  
  系列  STripFET  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2000 mW  
  最大连续漏极电流  5.4 A,8 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  22 mΩ,55 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.5V  
  最大栅源电压  ±16 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
关键词         

STS8C5H30L相关搜索

安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5mm  STMicroelectronics 长度 5mm  MOSFET 晶体管 长度 5mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 5mm   尺寸 5 x 4 x 1.25mm  STMicroelectronics 尺寸 5 x 4 x 1.25mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.25mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.25mm   典型关断延迟时间 125(P 通道)ns,23(N 通道)ns  STMicroelectronics 典型关断延迟时间 125(P 通道)ns,23(N 通道)ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 125(P 通道)ns,23(N 通道)ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 125(P 通道)ns,23(N 通道)ns   典型接通延迟时间 12(N 通道)ns,25(P 通道)ns  STMicroelectronics 典型接通延迟时间 12(N 通道)ns,25(P 通道)ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12(N 通道)ns,25(P 通道)ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12(N 通道)ns,25(P 通道)ns   典型输入电容值@Vds 1350 pF @ 25 V(P 沟道),857 pF @ 25 V(N 沟道)  STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 1350 pF @ 25 V(P 沟道),857 pF @ 25 V(N 沟道)  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1350 pF @ 25 V(P 沟道),857 pF @ 25 V(N 沟道)  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1350 pF @ 25 V(P 沟道),857 pF @ 25 V(N 沟道)   典型栅极电荷@Vgs 12.5 nC @ 5 V,7 nC @ 5 V  STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 12.5 nC @ 5 V,7 nC @ 5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 12.5 nC @ 5 V,7 nC @ 5 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 12.5 nC @ 5 V,7 nC @ 5 V   封装类型 SOIC  STMicroelectronics 封装类型 SOIC  MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC   高度 1.25mm  STMicroelectronics 高度 1.25mm  MOSFET 晶体管 高度 1.25mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 1.25mm   宽度 4mm  STMicroelectronics 宽度 4mm  MOSFET 晶体管 宽度 4mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 4mm   类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 2  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N,P  STMicroelectronics 通道类型 N,P  MOSFET 晶体管 通道类型 N,P  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N,P   通道模式 增强  STMicroelectronics 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 STripFET  STMicroelectronics 系列 STripFET  MOSFET 晶体管 系列 STripFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 STripFET   引脚数目 8  STMicroelectronics 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 2000 mW  STMicroelectronics 最大功率耗散 2000 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2000 mW  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2000 mW   最大连续漏极电流 5.4 A,8 A  STMicroelectronics 最大连续漏极电流 5.4 A,8 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.4 A,8 A  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.4 A,8 A   最大漏源电压 30 V  STMicroelectronics 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 22 mΩ,55 mΩ  STMicroelectronics 最大漏源电阻值 22 mΩ,55 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 22 mΩ,55 mΩ  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 22 mΩ,55 mΩ   最大栅阈值电压 2.5V  STMicroelectronics 最大栅阈值电压 2.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V   最大栅源电压 ±16 V  STMicroelectronics 最大栅源电压 ±16 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±16 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±16 V   最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  STMicroelectronics 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

STS8C5H30L产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号