IXFH44N50P,194-552,IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH44N50P, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AD封装 ,IXYS
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IXFH44N50P
IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH44N50P, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AD封装
制造商零件编号:
IXFH44N50P
制造商:
IXYS
IXYS
库存编号:
194-552
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IXFH44N50P产品详细信息
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET? Polar? 系列
IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET?)
IXFH44N50P产品技术参数
安装类型
通孔
长度
16.26mm
尺寸
16.26 x 5.3 x 21.46mm
典型关断延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
28 ns
典型输入电容值@Vds
5440 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
98 nC @ 10 V
封装类型
TO-247AD
高度
21.46mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
5.3mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
HiperFET, Polar
引脚数目
3
最大功率耗散
650 W
最大连续漏极电流
44 A
最大漏源电压
500 V
最大漏源电阻值
140 mΩ
最大栅阈值电压
5V
最大栅源电压
±30 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
IXFH44N50P配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Bergquist Sil-Pad 400 电子散热垫 SP400-0.007-00-104, 0.9W/m·K, 25.4 x 19.05mm, 0.178mm厚
制造商零件编号:
SP400-0.007-00-104
品牌:
Bergquist
库存编号:
707-3367
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长度 16.26mm
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IXYS MOSFET 晶体管 长度 16.26mm
尺寸 16.26 x 5.3 x 21.46mm
IXYS 尺寸 16.26 x 5.3 x 21.46mm
MOSFET 晶体管 尺寸 16.26 x 5.3 x 21.46mm
IXYS MOSFET 晶体管 尺寸 16.26 x 5.3 x 21.46mm
典型关断延迟时间 85 ns
IXYS 典型关断延迟时间 85 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 85 ns
IXYS MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 28 ns
IXYS 典型接通延迟时间 28 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 28 ns
IXYS MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 28 ns
典型输入电容值@Vds 5440 pF@ 25 V
IXYS 典型输入电容值@Vds 5440 pF@ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 5440 pF@ 25 V
IXYS MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 5440 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 98 nC @ 10 V
IXYS 典型栅极电荷@Vgs 98 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 98 nC @ 10 V
IXYS MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 98 nC @ 10 V
封装类型 TO-247AD
IXYS 封装类型 TO-247AD
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247AD
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高度 21.46mm
IXYS 高度 21.46mm
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晶体管材料 Si
IXYS 晶体管材料 Si
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晶体管配置 单
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宽度 5.3mm
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类别 功率 MOSFET
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每片芯片元件数目 1
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MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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IXFH44N50P产品技术参数资料
Datasheet
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