IXFH36N60P,194-467,IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH36N60P, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装 ,IXYS
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH36N60P, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号：
IXFH36N60P
制造商：
IXYS IXYS
库存编号：
194-467
IXYS IXFH36N60P
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IXFH36N60P产品详细信息

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET? Polar? 系列

IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET?)

IXFH36N60P产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  16.26mm  
  尺寸  16.26 x 5.3 x 21.46mm  
  典型关断延迟时间  80 ns  
  典型接通延迟时间  30 ns  
  典型输入电容值@Vds  5800 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  102 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-247  
  高度  21.46mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.3mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HiperFET, Polar  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  650 W  
  最大连续漏极电流  36 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  190 mΩ  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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IXFH36N60P配套附件

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IXFH36N60P产品技术参数资料

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