IXFN60N80P,194-350,IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN60N80P, 53 A, Vds=800 V, 4引脚 SOT-227B封装 ,IXYS
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN60N80P, 53 A, Vds=800 V, 4引脚 SOT-227B封装

制造商零件编号：
IXFN60N80P
制造商：
IXYS IXYS
库存编号：
194-350
IXYS IXFN60N80P
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IXFN60N80P产品详细信息

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET? Polar? 系列

IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET?)

IXFN60N80P产品技术参数

  安装类型  面板安装  
  长度  38.23mm  
  尺寸  38.23 x 25.42 x 9.6mm  
  典型关断延迟时间  110 ns  
  典型接通延迟时间  36 ns  
  典型输入电容值@Vds  18000 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  250 nC @ 10 V  
  封装类型  SOT-227B  
  高度  9.6mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  25.42mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HiperFET, Polar  
  引脚数目  4  
  最大功率耗散  1.04 kW  
  最大连续漏极电流  53 A  
  最大漏源电压  800 V  
  最大漏源电阻值  140 mΩ  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IXFN60N80P产品技术参数资料

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