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安装类型	通孔
长度	16.13mm
尺寸	16.13 x 5.21 x 21.34mm
典型关断延迟时间	60 ns
典型接通延迟时间	22 ns
典型输入电容值@Vds	8200 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	186 nC @ 10 V
封装类型	PLUS247
高度	21.34mm
晶体管配置	单
宽度	5.21mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	HiperFET, Q-Class
引脚数目	3
最大功率耗散	735 W
最大连续漏极电流	30 A
最大漏源电压	1000 V
最大漏源电阻值	400 mΩ
最大栅阈值电压	5V
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• IXFK 30N100Q2 HiPerFET Power MOSFETs Q-Class Data Sheet