IXTP36N30P,193-622,IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXTP36N30P, 36 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220封装 ,IXYS
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXTP36N30P, 36 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
IXTP36N30P
制造商：
IXYS IXYS
库存编号：
193-622
IXYS IXTP36N30P
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IXTP36N30P产品详细信息

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET? Polar? 系列

IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET?)

IXTP36N30P产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.66mm  
  尺寸  10.66 x 4.83 x 9.15mm  
  典型关断延迟时间  97 ns  
  典型接通延迟时间  24 ns  
  典型输入电容值@Vds  2250 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  70 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  9.15mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.83mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HiperFET, Polar  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  300 W  
  最大连续漏极电流  36 A  
  最大漏源电压  300 V  
  最大漏源电阻值  110 mΩ  
  最大栅阈值电压  5.5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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IXTP36N30P配套附件

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IXTP36N30P产品技术参数资料

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