IXFH110N10P,193-492,IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH110N10P, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247封装 ,IXYS
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IXFH110N10P
IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH110N10P, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247封装
制造商零件编号:
IXFH110N10P
制造商:
IXYS
IXYS
库存编号:
193-492
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IXFH110N10P产品详细信息
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET? Polar? 系列
IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET?)
IXFH110N10P产品技术参数
安装类型
通孔
长度
16.26mm
尺寸
16.26 x 5.3 x 21.46mm
典型关断延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
21 ns
典型输入电容值@Vds
3550 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
110 nC @ 10 V
封装类型
TO-247
高度
21.46mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
5.3mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
HiperFET, Polar
引脚数目
3
最大功率耗散
480000 mW
最大连续漏极电流
110 A
最大漏源电压
100 V
最大漏源电阻值
15 mΩ
最大栅阈值电压
5V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
关键词
IXFH110N10P配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Bergquist Sil-Pad 400 电子散热垫 SP400-0.007-00-104, 0.9W/m·K, 25.4 x 19.05mm, 0.178mm厚
制造商零件编号:
SP400-0.007-00-104
品牌:
Bergquist
库存编号:
707-3367
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尺寸 16.26 x 5.3 x 21.46mm
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MOSFET 晶体管 尺寸 16.26 x 5.3 x 21.46mm
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典型关断延迟时间 65 ns
IXYS 典型关断延迟时间 65 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 65 ns
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典型接通延迟时间 21 ns
IXYS 典型接通延迟时间 21 ns
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典型输入电容值@Vds 3550 pF@ 25 V
IXYS 典型输入电容值@Vds 3550 pF@ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3550 pF@ 25 V
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典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V
IXYS 典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V
IXYS MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V
封装类型 TO-247
IXYS 封装类型 TO-247
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247
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高度 21.46mm
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IXFH110N10P产品技术参数资料
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