IXFH96N20P,193-442,IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH96N20P, 96 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装 ,IXYS
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH96N20P, 96 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号：
IXFH96N20P
制造商：
IXYS IXYS
库存编号：
193-442
IXYS IXFH96N20P
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
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IXFH96N20P
库存编号:IXFH96N20P-ND		 Littelfuse Inc MOSFET N-CH 200V 96A TO247AD24
1起订		1+
30+
510+
￥64.28
￥63.54
￥64.28
6-10天购买 购买
,"cvcgetWeb":["c3JjPTEmUE49SVhGSDk2TjIwUC1ORA=="],"cvcModel":["IXFH96N20P"],"cvcBrand":[" Littelfuse Inc "],"cvcNumberAll":["1,30,510,"],"cvcPriceAll":["64.28,63.54,64.28,"],"maxnum":["24"],"minnum":["1"],"mytime":["6-10天"],"haveiscanbuy":["yes"],

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IXFH96N20P
库存编号:747-IXFH96N20P		 IXYS Corporation MOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds284
1起订		1+
510+
￥60.99
￥59.1
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,"cvcgetWeb":["c3JjPTMmUE49NzQ3LUlYRkg5Nk4yMFA="],"cvcModel":["IXFH96N20P"],"cvcBrand":[" IXYS Corporation "],"cvcNumberAll":["1,510,"],"cvcPriceAll":["60.99,59.1,"],"maxnum":["284"],"minnum":["1"],"mytime":["6-10天"],"haveiscanbuy":["yes"],
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IXFH96N20P
库存编号:87356828		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247231
7起订		7+
￥150.82
1-2周购买 购买
,"cvcgetWeb":["c3JjPTEzJlBOPTg3MzU2ODI4"],"cvcModel":["IXFH96N20P"],"cvcBrand":["IXYS Corporation"],"cvcNumberAll":["7,"],"cvcPriceAll":["150.82,"],"maxnum":["231"],"minnum":["7"],"mytime":["1-2周"],"haveiscanbuy":["yes"],
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IXFH96N20P
库存编号:2782973		 IXYS Corporation , MOSFET, N, 200V, 96A, TO-2470
1起订		1+
5+
10+
￥115.58
￥98.97
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(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IXFH96N20P
库存编号:IXFH96N20P		 IXYS Corporation MOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds0
300起订		300+
510+
￥68.4
￥67.03
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IXFH96N20P
库存编号:IXFH96N20P		 IXYS Corporation Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 96A, 600W, TO247-3232
1起订		1+
10+
30+
120+
1020+
￥123.36
￥98.34
￥88.34
￥78.76
￥76.19
1-3周购买 购买
,"cvcgetWeb":["c3JjPTIzJlBOPUlYRkg5Nk4yMFA="],"cvcModel":["IXFH96N20P"],"cvcBrand":[" IXYS Corporation "],"cvcNumberAll":["1,10,30,120,1020,"],"cvcPriceAll":["123.36,98.34,88.34,78.76,76.19,"],"maxnum":["232"],"minnum":["1"],"mytime":["1-3周"],"haveiscanbuy":["yes"],
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(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IXFH96N20P
库存编号:193442		 IXYS Corporation MOSFET N-Channel 200V 96A TO247, EA21
1起订		1+
8+
15+
￥118.17
￥114.63
￥111.17
1-3周购买 购买
,"cvcgetWeb":["c3JjPTI4JlBOPTE5MzQ0Mg=="],"cvcModel":["IXFH96N20P"],"cvcBrand":[" IXYS Corporation "],"cvcNumberAll":["1,8,15,"],"cvcPriceAll":["118.17,114.63,111.17,"],"maxnum":["21"],"minnum":["1"],"mytime":["1-3周"],"haveiscanbuy":["yes"],

IXFH96N20P产品详细信息

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET? Polar? 系列

IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET?)

IXFH96N20P产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  16.26mm  
  尺寸  16.26 x 5.3 x 21.46mm  
  典型关断延迟时间  75 ns  
  典型接通延迟时间  28 ns  
  典型输入电容值@Vds  4800 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  145 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-247  
  高度  21.46mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.3mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HiperFET, Polar  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  600000 mW  
  最大连续漏极电流  96 A  
  最大漏源电压  200 V  
  最大漏源电阻值  24 mΩ  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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IXFH96N20P配套附件

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安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  IXYS MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 16.26mm  IXYS 长度 16.26mm  MOSFET 晶体管 长度 16.26mm  IXYS MOSFET 晶体管 长度 16.26mm   尺寸 16.26 x 5.3 x 21.46mm  IXYS 尺寸 16.26 x 5.3 x 21.46mm  MOSFET 晶体管 尺寸 16.26 x 5.3 x 21.46mm  IXYS MOSFET 晶体管 尺寸 16.26 x 5.3 x 21.46mm   典型关断延迟时间 75 ns  IXYS 典型关断延迟时间 75 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 75 ns  IXYS MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 75 ns   典型接通延迟时间 28 ns  IXYS 典型接通延迟时间 28 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 28 ns  IXYS MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 28 ns   典型输入电容值@Vds 4800 pF@ 25 V  IXYS 典型输入电容值@Vds 4800 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4800 pF@ 25 V  IXYS MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4800 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 145 nC @ 10 V  IXYS 典型栅极电荷@Vgs 145 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 145 nC @ 10 V  IXYS MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 145 nC @ 10 V   封装类型 TO-247  IXYS 封装类型 TO-247  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247  IXYS MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247   高度 21.46mm  IXYS 高度 21.46mm  MOSFET 晶体管 高度 21.46mm  IXYS MOSFET 晶体管 高度 21.46mm   晶体管材料 Si  IXYS 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  IXYS MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  IXYS 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  IXYS MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.3mm  IXYS 宽度 5.3mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.3mm  IXYS MOSFET 晶体管 宽度 5.3mm   类别 功率 MOSFET  IXYS 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  IXYS MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  IXYS 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  IXYS MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  IXYS 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  IXYS MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  IXYS 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  IXYS MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HiperFET, Polar  IXYS 系列 HiperFET, Polar  MOSFET 晶体管 系列 HiperFET, Polar  IXYS MOSFET 晶体管 系列 HiperFET, Polar   引脚数目 3  IXYS 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  IXYS MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 600000 mW  IXYS 最大功率耗散 600000 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 600000 mW  IXYS MOSFET 晶体管 最大功率耗散 600000 mW   最大连续漏极电流 96 A  IXYS 最大连续漏极电流 96 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 96 A  IXYS MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 96 A   最大漏源电压 200 V  IXYS 最大漏源电压 200 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V  IXYS MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V   最大漏源电阻值 24 mΩ  IXYS 最大漏源电阻值 24 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 24 mΩ  IXYS MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 24 mΩ   最大栅阈值电压 5V  IXYS 最大栅阈值电压 5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V  IXYS MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V   最大栅源电压 ±20 V  IXYS 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  IXYS MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  IXYS 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  IXYS MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  IXYS 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  IXYS MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  
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型号 制造商 描述 操作
IXFH96N20P
[更多]		 IXYS Corporation

MOSFET N-CH 200V 96A TO-247

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IXFH96N20P
[更多]		 IXYS Corporation

MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds

RoHS: Compliant

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IXFH96N20P
[更多]		 IXYS Corporation

N-Channel 200 V 24 mOhm Enhancement Mode Power MOSFET - TO-247

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IXYS - IXFH96N20P - MOSFET N-CH 200V 96A TO-247		IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-247AD（IXFH）

型号：IXFH96N20P
仓库库存编号：IXFH96N20P-ND

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IXFH96N20P|IXYSIXFH96N20P
IXYS		MOSFET N-CH 200V 96A TO-247
Rohs

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IXFH96N20P|IXYSIXFH96N20P
IXYS		MOSFET N-CH 200V 96A TO-247
Rohs

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IXFH96N20P|IXYSIXFH96N20P
IXYS		MOSFET N-CH 200V 96A TO-247
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IXYS - IXFH96N20P - IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH96N20P, 96 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
制造商零件编号：
IXFH96N20P
品牌：
IXYS
库存编号：
193-442
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QQ:800152669

IXFH96N20P产品技术参数资料

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