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安装类型	通孔
长度	10mm
尺寸	10 x 4.5 x 8.1mm
典型输入电容值@Vds	1800 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	40 nC @ 10 V
封装类型	TO-220NIS
高度	8.1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.5mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	45000 mW
最大连续漏极电流	13 A
最大漏源电压	250 V
最大漏源电阻值	250 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• MOSFET,Nch,250V/13A/0.25ohm,TO-220NIS