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安装类型	通孔
长度	6.5mm
尺寸	6.5 x 2.3 x 5.5mm
典型输入电容值@Vds	730 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	15 nC @ 10 V
封装类型	PW Mold2
高度	5.5mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	2.3mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	20 W
最大连续漏极电流	5 A
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	100 mΩ
最大栅阈值电压	2.5V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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