2SJ669(Q),185-546,Toshiba P沟道 MOSFET 晶体管 2SJ669(Q), 5 A, Vds=60 V, 3引脚 TPS封装 ,Toshiba
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2SJ669(Q)
Toshiba P沟道 MOSFET 晶体管 2SJ669(Q), 5 A, Vds=60 V, 3引脚 TPS封装
制造商零件编号:
2SJ669(Q)
制造商:
Toshiba
Toshiba
库存编号:
185-546
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
2SJ669(Q)产品详细信息
MOSFET P 通道,2SJ 系列,Toshiba
2SJ669(Q)产品技术参数
安装类型
通孔
长度
8mm
尺寸
8 x 3.5 x 7mm
典型输入电容值@Vds
700 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs
15 nC @ 10 V
封装类型
TPS
高度
7mm
宽度
3.5mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
P
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
1200 mW
最大连续漏极电流
5 A
最大漏源电压
60 V
最大漏源电阻值
170 mΩ
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
2SJ669(Q)相关搜索
安装类型 通孔
Toshiba 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Toshiba MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 8mm
Toshiba 长度 8mm
MOSFET 晶体管 长度 8mm
Toshiba MOSFET 晶体管 长度 8mm
尺寸 8 x 3.5 x 7mm
Toshiba 尺寸 8 x 3.5 x 7mm
MOSFET 晶体管 尺寸 8 x 3.5 x 7mm
Toshiba MOSFET 晶体管 尺寸 8 x 3.5 x 7mm
典型输入电容值@Vds 700 pF @ 10 V
Toshiba 典型输入电容值@Vds 700 pF @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 700 pF @ 10 V
Toshiba MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 700 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 10 V
Toshiba 典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 10 V
Toshiba MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 10 V
封装类型 TPS
Toshiba 封装类型 TPS
MOSFET 晶体管 封装类型 TPS
Toshiba MOSFET 晶体管 封装类型 TPS
高度 7mm
Toshiba 高度 7mm
MOSFET 晶体管 高度 7mm
Toshiba MOSFET 晶体管 高度 7mm
宽度 3.5mm
Toshiba 宽度 3.5mm
MOSFET 晶体管 宽度 3.5mm
Toshiba MOSFET 晶体管 宽度 3.5mm
类别 功率 MOSFET
Toshiba 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Toshiba MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Toshiba 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Toshiba MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 P
Toshiba 通道类型 P
MOSFET 晶体管 通道类型 P
Toshiba MOSFET 晶体管 通道类型 P
通道模式 增强
Toshiba 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Toshiba MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
Toshiba 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Toshiba MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 1200 mW
Toshiba 最大功率耗散 1200 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1200 mW
Toshiba MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1200 mW
最大连续漏极电流 5 A
Toshiba 最大连续漏极电流 5 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5 A
Toshiba MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5 A
最大漏源电压 60 V
Toshiba 最大漏源电压 60 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
Toshiba MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
最大漏源电阻值 170 mΩ
Toshiba 最大漏源电阻值 170 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 170 mΩ
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最大栅源电压 ±20 V
Toshiba 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最低工作温度 -55 °C
Toshiba 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
Toshiba 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
Toshiba MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
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2SJ669(Q)产品技术参数资料
MOSFET,Pch,60V/5A/0.17ohm,TPS
美国1号品牌选型
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