ZXM62P02E6TA,155-248,DiodesZetex P沟道 Si MOSFET ZXM62P02E6TA, 2.3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装 ,DiodesZetex
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ZXM62P02E6TA
DiodesZetex P沟道 Si MOSFET ZXM62P02E6TA, 2.3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
制造商零件编号:
ZXM62P02E6TA
制造商:
DiodesZetex
DiodesZetex
库存编号:
155-248
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
ZXM62P02E6TA产品详细信息
P 通道 MOSFET,12V 至 25V,Diodes Inc
ZXM62P02E6TA产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3.1mm
尺寸
3.1 x 1.8 x 1.3mm
典型关断延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
4.1 ns
典型输入电容值@Vds
320 pF@ 15 V
典型栅极电荷@Vgs
5.8 nC @ 4.5 V
封装类型
SOT-23
高度
1.3mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
1.8mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
P
通道模式
增强
引脚数目
6
最大功率耗散
1700 mW
最大连续漏极电流
2.3 A
最大漏源电压
20 V
最大漏源电阻值
200 mΩ
最大栅源电压
±12 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
0.7V
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ZXM62P02E6TA相关搜索
安装类型 表面贴装
DiodesZetex 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 3.1mm
DiodesZetex 长度 3.1mm
MOSFET 晶体管 长度 3.1mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 3.1mm
尺寸 3.1 x 1.8 x 1.3mm
DiodesZetex 尺寸 3.1 x 1.8 x 1.3mm
MOSFET 晶体管 尺寸 3.1 x 1.8 x 1.3mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 3.1 x 1.8 x 1.3mm
典型关断延迟时间 12 ns
DiodesZetex 典型关断延迟时间 12 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 12 ns
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 4.1 ns
DiodesZetex 典型接通延迟时间 4.1 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.1 ns
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.1 ns
典型输入电容值@Vds 320 pF@ 15 V
DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 320 pF@ 15 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 320 pF@ 15 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 320 pF@ 15 V
典型栅极电荷@Vgs 5.8 nC @ 4.5 V
DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 5.8 nC @ 4.5 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5.8 nC @ 4.5 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5.8 nC @ 4.5 V
封装类型 SOT-23
DiodesZetex 封装类型 SOT-23
MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23
DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23
高度 1.3mm
DiodesZetex 高度 1.3mm
MOSFET 晶体管 高度 1.3mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 1.3mm
晶体管材料 Si
DiodesZetex 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
DiodesZetex 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.8mm
DiodesZetex 宽度 1.8mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.8mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 1.8mm
类别 功率 MOSFET
DiodesZetex 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
DiodesZetex MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
DiodesZetex 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 P
DiodesZetex 通道类型 P
MOSFET 晶体管 通道类型 P
DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 P
通道模式 增强
DiodesZetex 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 6
DiodesZetex 引脚数目 6
MOSFET 晶体管 引脚数目 6
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最大功率耗散 1700 mW
DiodesZetex 最大功率耗散 1700 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1700 mW
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1700 mW
最大连续漏极电流 2.3 A
DiodesZetex 最大连续漏极电流 2.3 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 2.3 A
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最大漏源电压 20 V
DiodesZetex 最大漏源电压 20 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V
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最大漏源电阻值 200 mΩ
DiodesZetex 最大漏源电阻值 200 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 200 mΩ
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最大栅源电压 ±12 V
DiodesZetex 最大栅源电压 ±12 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V
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最低工作温度 -55 °C
DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小栅阈值电压 0.7V
DiodesZetex 最小栅阈值电压 0.7V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.7V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.7V
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800152669
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ZXM62P02E6TA产品技术参数资料
ZXM62P02E6 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Data Sheet
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