ZXM62P02E6TA,155-248,DiodesZetex P沟道 Si MOSFET ZXM62P02E6TA, 2.3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装 ,DiodesZetex
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET ZXM62P02E6TA, 2.3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装

制造商零件编号:
ZXM62P02E6TA
库存编号:
155-248
DiodesZetex ZXM62P02E6TA
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

ZXM62P02E6TA产品详细信息

P 通道 MOSFET,12V 至 25V,Diodes Inc

ZXM62P02E6TA产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.1mm  
  尺寸  3.1 x 1.8 x 1.3mm  
  典型关断延迟时间  12 ns  
  典型接通延迟时间  4.1 ns  
  典型输入电容值@Vds  320 pF@ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  5.8 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SOT-23  
  高度  1.3mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.8mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  1700 mW  
  最大连续漏极电流  2.3 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  200 mΩ  
  最大栅源电压  ±12 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.7V  
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