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安装类型	表面贴装
长度	10.4mm
尺寸	10.4 x 9.35 x 4.6mm
典型关断延迟时间	140 ns
典型接通延迟时间	30 ns
典型输入电容值@Vds	5100 pF V @ 25
典型栅极电荷@Vgs	170 nC V @ 10
封装类型	D2PAK
高度	4.6mm
宽度	9.35mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	STripFET
引脚数目	3
最大功率耗散	310000 mW
最大连续漏极电流	120 A
最大漏源电压	40 V
最大漏源电阻值	0.004 Ω
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.4mm  STMicroelectronics 长度 10.4mm  MOSFET 晶体管 长度 10.4mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 10.4mm   尺寸 10.4 x 9.35 x 4.6mm  STMicroelectronics 尺寸 10.4 x 9.35 x 4.6mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 9.35 x 4.6mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 9.35 x 4.6mm   典型关断延迟时间 140 ns  STMicroelectronics 典型关断延迟时间 140 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 140 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 140 ns   典型接通延迟时间 30 ns  STMicroelectronics 典型接通延迟时间 30 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 30 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 30 ns   典型输入电容值@Vds 5100 pF V @ 25  STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 5100 pF V @ 25  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 5100 pF V @ 25  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 5100 pF V @ 25   典型栅极电荷@Vgs 170 nC V @ 10  STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 170 nC V @ 10  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 170 nC V @ 10  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 170 nC V @ 10   封装类型 D2PAK  STMicroelectronics 封装类型 D2PAK  MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK   高度 4.6mm  STMicroelectronics 高度 4.6mm  MOSFET 晶体管 高度 4.6mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 4.6mm   宽度 9.35mm  STMicroelectronics 宽度 9.35mm  MOSFET 晶体管 宽度 9.35mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 9.35mm   类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  STMicroelectronics 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 STripFET  STMicroelectronics 系列 STripFET  MOSFET 晶体管 系列 STripFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 STripFET   引脚数目 3  STMicroelectronics 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 310000 mW  STMicroelectronics 最大功率耗散 310000 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 310000 mW  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 310000 mW   最大连续漏极电流 120 A  STMicroelectronics 最大连续漏极电流 120 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 120 A  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 120 A   最大漏源电压 40 V  STMicroelectronics 最大漏源电压 40 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V   最大漏源电阻值 0.004 Ω  STMicroelectronics 最大漏源电阻值 0.004 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.004 Ω  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.004 Ω   最大栅阈值电压 4V  STMicroelectronics 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  STMicroelectronics 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  STMicroelectronics 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  

• STB200NF04 N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 mohm TO-220/D2PAK/I2PAK STripFETII MOSFET Data Sheet