IRS2153DSTRPBF,915-5137,Infineon IRS2153DSTRPBF 双 MOSFET 功率驱动器, 半桥, 自振荡, 8引脚 SOIC封装 ,Infineon
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IRS2153DSTRPBF
Infineon IRS2153DSTRPBF 双 MOSFET 功率驱动器, 半桥, 自振荡, 8引脚 SOIC封装
制造商零件编号:
IRS2153DSTRPBF
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
915-5137
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRS2153DSTRPBF产品详细信息
自振栅极驱动器 IC,Infineon
IRS2153DSTRPBF产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
5mm
尺寸
5 x 4 x 1.5mm
电桥类型
半桥
封装类型
SOIC
高度
1.5mm
宽度
4mm
驱动器类型
高侧,低侧
驱动器配置
自振荡
驱动器数目
2
上升时间
220ns
输出数目
2
输入逻辑兼容性
CMOS
下降时间
80ns
引脚数目
8
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+125 °C
关键词
IRS2153DSTRPBF相关搜索
安装类型 表面贴装
Infineon 安装类型 表面贴装
MOSFET 电源驱动器 安装类型 表面贴装
Infineon MOSFET 电源驱动器 安装类型 表面贴装
长度 5mm
Infineon 长度 5mm
MOSFET 电源驱动器 长度 5mm
Infineon MOSFET 电源驱动器 长度 5mm
尺寸 5 x 4 x 1.5mm
Infineon 尺寸 5 x 4 x 1.5mm
MOSFET 电源驱动器 尺寸 5 x 4 x 1.5mm
Infineon MOSFET 电源驱动器 尺寸 5 x 4 x 1.5mm
电桥类型 半桥
Infineon 电桥类型 半桥
MOSFET 电源驱动器 电桥类型 半桥
Infineon MOSFET 电源驱动器 电桥类型 半桥
封装类型 SOIC
Infineon 封装类型 SOIC
MOSFET 电源驱动器 封装类型 SOIC
Infineon MOSFET 电源驱动器 封装类型 SOIC
高度 1.5mm
Infineon 高度 1.5mm
MOSFET 电源驱动器 高度 1.5mm
Infineon MOSFET 电源驱动器 高度 1.5mm
宽度 4mm
Infineon 宽度 4mm
MOSFET 电源驱动器 宽度 4mm
Infineon MOSFET 电源驱动器 宽度 4mm
驱动器类型 高侧,低侧
Infineon 驱动器类型 高侧,低侧
MOSFET 电源驱动器 驱动器类型 高侧,低侧
Infineon MOSFET 电源驱动器 驱动器类型 高侧,低侧
驱动器配置 自振荡
Infineon 驱动器配置 自振荡
MOSFET 电源驱动器 驱动器配置 自振荡
Infineon MOSFET 电源驱动器 驱动器配置 自振荡
驱动器数目 2
Infineon 驱动器数目 2
MOSFET 电源驱动器 驱动器数目 2
Infineon MOSFET 电源驱动器 驱动器数目 2
上升时间 220ns
Infineon 上升时间 220ns
MOSFET 电源驱动器 上升时间 220ns
Infineon MOSFET 电源驱动器 上升时间 220ns
输出数目 2
Infineon 输出数目 2
MOSFET 电源驱动器 输出数目 2
Infineon MOSFET 电源驱动器 输出数目 2
输入逻辑兼容性 CMOS
Infineon 输入逻辑兼容性 CMOS
MOSFET 电源驱动器 输入逻辑兼容性 CMOS
Infineon MOSFET 电源驱动器 输入逻辑兼容性 CMOS
下降时间 80ns
Infineon 下降时间 80ns
MOSFET 电源驱动器 下降时间 80ns
Infineon MOSFET 电源驱动器 下降时间 80ns
引脚数目 8
Infineon 引脚数目 8
MOSFET 电源驱动器 引脚数目 8
Infineon MOSFET 电源驱动器 引脚数目 8
最低工作温度 -40 °C
Infineon 最低工作温度 -40 °C
MOSFET 电源驱动器 最低工作温度 -40 °C
Infineon MOSFET 电源驱动器 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +125 °C
Infineon 最高工作温度 +125 °C
MOSFET 电源驱动器 最高工作温度 +125 °C
Infineon MOSFET 电源驱动器 最高工作温度 +125 °C
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IRS2153DSTRPBF产品技术参数资料
IRS2153DSPbF Self-oscillating Half-bridge Gate Driver
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