PVI5013RPBF,864-1113,Infineon PVI5013RPBF 双 MOSFET 功率驱动器, 8引脚 PDIP封装 ,Infineon
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PVI5013RPBF
Infineon PVI5013RPBF 双 MOSFET 功率驱动器, 8引脚 PDIP封装
制造商零件编号:
PVI5013RPBF
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
864-1113
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PVI5013RPBF产品详细信息
固态继电器 - 光伏隔离器,Infineon
光伏隔离器可在接收直流输入信号时产生电气隔离直流电压,且驱动功率 MOSFET 或 IGBT 栅。
PVI5013RPBF产品技术参数
安装类型
通孔
长度
9.39mm
尺寸
9.39 x 6.47 x 3.42mm
封装类型
PDIP
高度
3.42mm
高压侧和低压侧相关性
独立
宽度
6.47mm
驱动器类型
高侧和低侧
驱动器数目
2
输出数目
2
引脚数目
8
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
关键词
PVI5013RPBF相关搜索
安装类型 通孔
Infineon 安装类型 通孔
MOSFET 电源驱动器 安装类型 通孔
Infineon MOSFET 电源驱动器 安装类型 通孔
长度 9.39mm
Infineon 长度 9.39mm
MOSFET 电源驱动器 长度 9.39mm
Infineon MOSFET 电源驱动器 长度 9.39mm
尺寸 9.39 x 6.47 x 3.42mm
Infineon 尺寸 9.39 x 6.47 x 3.42mm
MOSFET 电源驱动器 尺寸 9.39 x 6.47 x 3.42mm
Infineon MOSFET 电源驱动器 尺寸 9.39 x 6.47 x 3.42mm
封装类型 PDIP
Infineon 封装类型 PDIP
MOSFET 电源驱动器 封装类型 PDIP
Infineon MOSFET 电源驱动器 封装类型 PDIP
高度 3.42mm
Infineon 高度 3.42mm
MOSFET 电源驱动器 高度 3.42mm
Infineon MOSFET 电源驱动器 高度 3.42mm
高压侧和低压侧相关性 独立
Infineon 高压侧和低压侧相关性 独立
MOSFET 电源驱动器 高压侧和低压侧相关性 独立
Infineon MOSFET 电源驱动器 高压侧和低压侧相关性 独立
宽度 6.47mm
Infineon 宽度 6.47mm
MOSFET 电源驱动器 宽度 6.47mm
Infineon MOSFET 电源驱动器 宽度 6.47mm
驱动器类型 高侧和低侧
Infineon 驱动器类型 高侧和低侧
MOSFET 电源驱动器 驱动器类型 高侧和低侧
Infineon MOSFET 电源驱动器 驱动器类型 高侧和低侧
驱动器数目 2
Infineon 驱动器数目 2
MOSFET 电源驱动器 驱动器数目 2
Infineon MOSFET 电源驱动器 驱动器数目 2
输出数目 2
Infineon 输出数目 2
MOSFET 电源驱动器 输出数目 2
Infineon MOSFET 电源驱动器 输出数目 2
引脚数目 8
Infineon 引脚数目 8
MOSFET 电源驱动器 引脚数目 8
Infineon MOSFET 电源驱动器 引脚数目 8
最低工作温度 -40 °C
Infineon 最低工作温度 -40 °C
MOSFET 电源驱动器 最低工作温度 -40 °C
Infineon MOSFET 电源驱动器 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
Infineon 最高工作温度 +85 °C
MOSFET 电源驱动器 最高工作温度 +85 °C
Infineon MOSFET 电源驱动器 最高工作温度 +85 °C
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PVI5013RPBF产品技术参数资料
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