SiC780CD-T1-GE3,787-9314,Vishay SiC780CD-T1-GE3 MOSFET 功率驱动器, 50A, 非反相, 40引脚 MLP封装 ,Vishay
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SiC780CD-T1-GE3
Vishay SiC780CD-T1-GE3 MOSFET 功率驱动器, 50A, 非反相, 40引脚 MLP封装
制造商零件编号:
SiC780CD-T1-GE3
制造商:
Vishay
Vishay
库存编号:
787-9314
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SiC780CD-T1-GE3产品详细信息
SiC780CD-T1-GE3产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6mm
尺寸
6 x 6 x 0.75mm
封装类型
MLP
峰值输出电流
50A
高度
0.75mm
高压侧和低压侧相关性
同步
宽度
6mm
驱动器类型
高侧和低侧
驱动器配置
非反相
驱动器数目
1
输出数目
1
输入逻辑兼容性
CMOS,LSTTL
引脚数目
40
最大工作电源电压
18 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+125 °C
最小工作电源电压
4.5 V
关键词
SiC780CD-T1-GE3相关搜索
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MOSFET 电源驱动器 安装类型 表面贴装
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长度 6mm
Vishay 长度 6mm
MOSFET 电源驱动器 长度 6mm
Vishay MOSFET 电源驱动器 长度 6mm
尺寸 6 x 6 x 0.75mm
Vishay 尺寸 6 x 6 x 0.75mm
MOSFET 电源驱动器 尺寸 6 x 6 x 0.75mm
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封装类型 MLP
Vishay 封装类型 MLP
MOSFET 电源驱动器 封装类型 MLP
Vishay MOSFET 电源驱动器 封装类型 MLP
峰值输出电流 50A
Vishay 峰值输出电流 50A
MOSFET 电源驱动器 峰值输出电流 50A
Vishay MOSFET 电源驱动器 峰值输出电流 50A
高度 0.75mm
Vishay 高度 0.75mm
MOSFET 电源驱动器 高度 0.75mm
Vishay MOSFET 电源驱动器 高度 0.75mm
高压侧和低压侧相关性 同步
Vishay 高压侧和低压侧相关性 同步
MOSFET 电源驱动器 高压侧和低压侧相关性 同步
Vishay MOSFET 电源驱动器 高压侧和低压侧相关性 同步
宽度 6mm
Vishay 宽度 6mm
MOSFET 电源驱动器 宽度 6mm
Vishay MOSFET 电源驱动器 宽度 6mm
驱动器类型 高侧和低侧
Vishay 驱动器类型 高侧和低侧
MOSFET 电源驱动器 驱动器类型 高侧和低侧
Vishay MOSFET 电源驱动器 驱动器类型 高侧和低侧
驱动器配置 非反相
Vishay 驱动器配置 非反相
MOSFET 电源驱动器 驱动器配置 非反相
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驱动器数目 1
Vishay 驱动器数目 1
MOSFET 电源驱动器 驱动器数目 1
Vishay MOSFET 电源驱动器 驱动器数目 1
输出数目 1
Vishay 输出数目 1
MOSFET 电源驱动器 输出数目 1
Vishay MOSFET 电源驱动器 输出数目 1
输入逻辑兼容性 CMOS,LSTTL
Vishay 输入逻辑兼容性 CMOS,LSTTL
MOSFET 电源驱动器 输入逻辑兼容性 CMOS,LSTTL
Vishay MOSFET 电源驱动器 输入逻辑兼容性 CMOS,LSTTL
引脚数目 40
Vishay 引脚数目 40
MOSFET 电源驱动器 引脚数目 40
Vishay MOSFET 电源驱动器 引脚数目 40
最大工作电源电压 18 V
Vishay 最大工作电源电压 18 V
MOSFET 电源驱动器 最大工作电源电压 18 V
Vishay MOSFET 电源驱动器 最大工作电源电压 18 V
最低工作温度 -40 °C
Vishay 最低工作温度 -40 °C
MOSFET 电源驱动器 最低工作温度 -40 °C
Vishay MOSFET 电源驱动器 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +125 °C
Vishay 最高工作温度 +125 °C
MOSFET 电源驱动器 最高工作温度 +125 °C
Vishay MOSFET 电源驱动器 最高工作温度 +125 °C
最小工作电源电压 4.5 V
Vishay 最小工作电源电压 4.5 V
MOSFET 电源驱动器 最小工作电源电压 4.5 V
Vishay MOSFET 电源驱动器 最小工作电源电压 4.5 V
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SiC780CD-T1-GE3产品技术参数资料
SiC780, SiC780A, Integrated DrMOS Power Stage
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