Infineon 3 相 600V MOSFET 和 IGBT 栅极驱动 IC 基于经验证的现有 SOI 技术。 这些坚固的设备中无寄生闸流晶体管结构,可在所有正常工作条件下防闩锁。 驱动器包括欠电压、过电流检测且可由 CMOS 或低至 3.3V 的 LSTTL 兼容信号控制。
最大阻隔电压 600V六个独立驱动器通过 3.3V 逻辑控制欠电压检测,带滞后过电流检测