TLE4264G,919-8759,Infineon TLE4264G LDO 稳压器, 5 V输出, 120mA最大输出, ±2%精确度, 5.5 → 45 V输入, 3 + Tab引脚 SOT-223封装 ,Infineon
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TLE4264G
Infineon TLE4264G LDO 稳压器, 5 V输出, 120mA最大输出, ±2%精确度, 5.5 → 45 V输入, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
制造商零件编号:
TLE4264G
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
919-8759
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
TLE4264G产品详细信息
LDO 稳压器,Infineon
Infineon 的一系列固定电压 LDO(低压降)线性稳压器
TLE4264G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.5mm
尺寸
6.5 x 3.5 x 1.6mm
封装类型
SOT-223
负荷调节
40 mV
高度
1.6mm
极性
正极
精确度
±2%
静态电流
9mA
宽度
3.5mm
输出电压
5 V
输出类型
固定
输出数目
1
引脚数目
3 + Tab
最大输出电流
120mA
最大输入电压
45 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+150 °C
最小输入电压
5.5 V
关键词
TLE4264G相关搜索
安装类型 表面贴装
Infineon 安装类型 表面贴装
低压降稳压器 安装类型 表面贴装
Infineon 低压降稳压器 安装类型 表面贴装
长度 6.5mm
Infineon 长度 6.5mm
低压降稳压器 长度 6.5mm
Infineon 低压降稳压器 长度 6.5mm
尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm
Infineon 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm
低压降稳压器 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm
Infineon 低压降稳压器 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm
封装类型 SOT-223
Infineon 封装类型 SOT-223
低压降稳压器 封装类型 SOT-223
Infineon 低压降稳压器 封装类型 SOT-223
负荷调节 40 mV
Infineon 负荷调节 40 mV
低压降稳压器 负荷调节 40 mV
Infineon 低压降稳压器 负荷调节 40 mV
高度 1.6mm
Infineon 高度 1.6mm
低压降稳压器 高度 1.6mm
Infineon 低压降稳压器 高度 1.6mm
极性 正极
Infineon 极性 正极
低压降稳压器 极性 正极
Infineon 低压降稳压器 极性 正极
精确度 ±2%
Infineon 精确度 ±2%
低压降稳压器 精确度 ±2%
Infineon 低压降稳压器 精确度 ±2%
静态电流 9mA
Infineon 静态电流 9mA
低压降稳压器 静态电流 9mA
Infineon 低压降稳压器 静态电流 9mA
宽度 3.5mm
Infineon 宽度 3.5mm
低压降稳压器 宽度 3.5mm
Infineon 低压降稳压器 宽度 3.5mm
输出电压 5 V
Infineon 输出电压 5 V
低压降稳压器 输出电压 5 V
Infineon 低压降稳压器 输出电压 5 V
输出类型 固定
Infineon 输出类型 固定
低压降稳压器 输出类型 固定
Infineon 低压降稳压器 输出类型 固定
输出数目 1
Infineon 输出数目 1
低压降稳压器 输出数目 1
Infineon 低压降稳压器 输出数目 1
引脚数目 3 + Tab
Infineon 引脚数目 3 + Tab
低压降稳压器 引脚数目 3 + Tab
Infineon 低压降稳压器 引脚数目 3 + Tab
最大输出电流 120mA
Infineon 最大输出电流 120mA
低压降稳压器 最大输出电流 120mA
Infineon 低压降稳压器 最大输出电流 120mA
最大输入电压 45 V
Infineon 最大输入电压 45 V
低压降稳压器 最大输入电压 45 V
Infineon 低压降稳压器 最大输入电压 45 V
最低工作温度 -40 °C
Infineon 最低工作温度 -40 °C
低压降稳压器 最低工作温度 -40 °C
Infineon 低压降稳压器 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +150 °C
Infineon 最高工作温度 +150 °C
低压降稳压器 最高工作温度 +150 °C
Infineon 低压降稳压器 最高工作温度 +150 °C
最小输入电压 5.5 V
Infineon 最小输入电压 5.5 V
低压降稳压器 最小输入电压 5.5 V
Infineon 低压降稳压器 最小输入电压 5.5 V
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TLE4264G产品技术参数资料
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