2SK3666-3-TB-E,792-5161,ON Semiconductor 2SK3666-3-TB-E N通道 JFET 晶体管, Vds=30 V, Idss: 1.2 → 3mA, 3引脚 CP封装 ,ON Semiconductor
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
JFET 晶体管
>
2SK3666-3-TB-E
ON Semiconductor 2SK3666-3-TB-E N通道 JFET 晶体管, Vds=30 V, Idss: 1.2 → 3mA, 3引脚 CP封装
制造商零件编号：
2SK3666-3-TB-E
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
792-5161
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
2SK3666-3-TB-E产品详细信息
N 通道 JFET，ON Semiconductor
2SK3666-3-TB-E产品技术参数
Idss 漏-源切断电流
1.2 → 3mA
安装类型
表面贴装
长度
2.9mm
尺寸
2.9 x 1.5 x 1.1mm
封装类型
CP
高度
1.1mm
宽度
1.5mm
漏门导通电容值
4pF
配置
单
通道类型
N
引脚数目
3
源门导通电容值
1.1pF
最大漏门电压
-30V
最大漏源电压
30 V
最大漏源电阻值
200 Ω
最大栅源电压
-20 V
最高工作温度
+150 °C
关键词
2SK3666-3-TB-E相关搜索
Idss 漏-源切断电流 1.2 → 3mA
ON Semiconductor Idss 漏-源切断电流 1.2 → 3mA
JFET 晶体管 Idss 漏-源切断电流 1.2 → 3mA
ON Semiconductor JFET 晶体管 Idss 漏-源切断电流 1.2 → 3mA
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
JFET 晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor JFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2.9mm
ON Semiconductor 长度 2.9mm
JFET 晶体管 长度 2.9mm
ON Semiconductor JFET 晶体管 长度 2.9mm
尺寸 2.9 x 1.5 x 1.1mm
ON Semiconductor 尺寸 2.9 x 1.5 x 1.1mm
JFET 晶体管 尺寸 2.9 x 1.5 x 1.1mm
ON Semiconductor JFET 晶体管 尺寸 2.9 x 1.5 x 1.1mm
封装类型 CP
ON Semiconductor 封装类型 CP
JFET 晶体管 封装类型 CP
ON Semiconductor JFET 晶体管 封装类型 CP
高度 1.1mm
ON Semiconductor 高度 1.1mm
JFET 晶体管 高度 1.1mm
ON Semiconductor JFET 晶体管 高度 1.1mm
宽度 1.5mm
ON Semiconductor 宽度 1.5mm
JFET 晶体管 宽度 1.5mm
ON Semiconductor JFET 晶体管 宽度 1.5mm
漏门导通电容值 4pF
ON Semiconductor 漏门导通电容值 4pF
JFET 晶体管 漏门导通电容值 4pF
ON Semiconductor JFET 晶体管 漏门导通电容值 4pF
配置 单
ON Semiconductor 配置 单
JFET 晶体管 配置 单
ON Semiconductor JFET 晶体管 配置 单
通道类型 N
ON Semiconductor 通道类型 N
JFET 晶体管 通道类型 N
ON Semiconductor JFET 晶体管 通道类型 N
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
JFET 晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor JFET 晶体管 引脚数目 3
源门导通电容值 1.1pF
ON Semiconductor 源门导通电容值 1.1pF
JFET 晶体管 源门导通电容值 1.1pF
ON Semiconductor JFET 晶体管 源门导通电容值 1.1pF
最大漏门电压 -30V
ON Semiconductor 最大漏门电压 -30V
JFET 晶体管 最大漏门电压 -30V
ON Semiconductor JFET 晶体管 最大漏门电压 -30V
最大漏源电压 30 V
ON Semiconductor 最大漏源电压 30 V
JFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
ON Semiconductor JFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
最大漏源电阻值 200 Ω
ON Semiconductor 最大漏源电阻值 200 Ω
JFET 晶体管 最大漏源电阻值 200 Ω
ON Semiconductor JFET 晶体管 最大漏源电阻值 200 Ω
最大栅源电压 -20 V
ON Semiconductor 最大栅源电压 -20 V
JFET 晶体管 最大栅源电压 -20 V
ON Semiconductor JFET 晶体管 最大栅源电压 -20 V
最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
JFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor JFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
2SK3666-3-TB-E产品技术参数资料
Datasheet
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
