NL17SZ06DFT2G,802-1575,ON Semiconductor NL17SZ06DFT2G 反相器, 漏极开路输出, 1.65 → 5.5 V电源, 5引脚 SC-88A封装 ,ON Semiconductor
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NL17SZ06DFT2G
ON Semiconductor NL17SZ06DFT2G 反相器, 漏极开路输出, 1.65 → 5.5 V电源, 5引脚 SC-88A封装
制造商零件编号:
NL17SZ06DFT2G
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号:
802-1575
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NL17SZ06DFT2G产品详细信息
NL17SZ 系列,ON Semiconductor
CMOS 逻辑门,带有 LVTTL 兼容输入和输出,提供比 74LCX 设备更高的速度和更大的驱动能力
宽范围 1.65 至 5.5V 工作电源
3.0V 时 24mA 源/吸电流容量
过电压容差输入
NL17SZ06DFT2G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.2mm
尺寸
2.2 x 1.35 x 1mm
传输延迟测试条件
50pF
封装类型
SC-88A
高度
1mm
宽度
1.35mm
逻辑功能
逆变器
每片芯片元件数目
1
施密特触发器输入
否
输出类型
漏极开路
引脚数目
5
最长传播延迟时间@最长CL
12 ns @ 50 pF
最大低电平输出电流
32mA
最大工作电源电压
5.5 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+125 °C
最小工作电源电压
1.65 V
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安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
反相器 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 反相器 安装类型 表面贴装
长度 2.2mm
ON Semiconductor 长度 2.2mm
反相器 长度 2.2mm
ON Semiconductor 反相器 长度 2.2mm
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm
ON Semiconductor 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm
反相器 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm
ON Semiconductor 反相器 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm
传输延迟测试条件 50pF
ON Semiconductor 传输延迟测试条件 50pF
反相器 传输延迟测试条件 50pF
ON Semiconductor 反相器 传输延迟测试条件 50pF
封装类型 SC-88A
ON Semiconductor 封装类型 SC-88A
反相器 封装类型 SC-88A
ON Semiconductor 反相器 封装类型 SC-88A
高度 1mm
ON Semiconductor 高度 1mm
反相器 高度 1mm
ON Semiconductor 反相器 高度 1mm
宽度 1.35mm
ON Semiconductor 宽度 1.35mm
反相器 宽度 1.35mm
ON Semiconductor 反相器 宽度 1.35mm
逻辑功能 逆变器
ON Semiconductor 逻辑功能 逆变器
反相器 逻辑功能 逆变器
ON Semiconductor 反相器 逻辑功能 逆变器
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
反相器 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 反相器 每片芯片元件数目 1
施密特触发器输入 否
ON Semiconductor 施密特触发器输入 否
反相器 施密特触发器输入 否
ON Semiconductor 反相器 施密特触发器输入 否
输出类型 漏极开路
ON Semiconductor 输出类型 漏极开路
反相器 输出类型 漏极开路
ON Semiconductor 反相器 输出类型 漏极开路
引脚数目 5
ON Semiconductor 引脚数目 5
反相器 引脚数目 5
ON Semiconductor 反相器 引脚数目 5
最长传播延迟时间@最长CL 12 ns @ 50 pF
ON Semiconductor 最长传播延迟时间@最长CL 12 ns @ 50 pF
反相器 最长传播延迟时间@最长CL 12 ns @ 50 pF
ON Semiconductor 反相器 最长传播延迟时间@最长CL 12 ns @ 50 pF
最大低电平输出电流 32mA
ON Semiconductor 最大低电平输出电流 32mA
反相器 最大低电平输出电流 32mA
ON Semiconductor 反相器 最大低电平输出电流 32mA
最大工作电源电压 5.5 V
ON Semiconductor 最大工作电源电压 5.5 V
反相器 最大工作电源电压 5.5 V
ON Semiconductor 反相器 最大工作电源电压 5.5 V
最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
反相器 最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 反相器 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +125 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +125 °C
反相器 最高工作温度 +125 °C
ON Semiconductor 反相器 最高工作温度 +125 °C
最小工作电源电压 1.65 V
ON Semiconductor 最小工作电源电压 1.65 V
反相器 最小工作电源电压 1.65 V
ON Semiconductor 反相器 最小工作电源电压 1.65 V
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NL17SZ06DFT2G产品技术参数资料
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